首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> rf-cmos

CCD和CMOS主要技術(shù)分析

  • CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
  • 關(guān)鍵字： 分析  技術(shù)  主要  CMOS  CCD  

手機(jī)RF設(shè)計(jì)難點(diǎn)及方案

  • 一、 關(guān)于手機(jī)RF干擾問題的解決　　針對(duì)GSM手機(jī)的RF干擾問題，劉俊勇指出，GSM 手機(jī)是TDMA工作方式，RF收發(fā)并不是同時(shí)進(jìn)行的，減少RF干擾的基本原則是一定要加強(qiáng)匹配和隔離?！　≡谠O(shè)計(jì)時(shí)要考慮到發(fā)射機(jī)處于大功率發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 方案  難點(diǎn)  設(shè)計(jì)  RF  手機(jī)  

GPS與WAN通訊相結(jié)合的RF設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： WAN  通訊結(jié)合  GPS  RF  

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
  • 關(guān)鍵字： CMOS  共源共柵  功率放大器  方案    

GPS與WAN通訊相結(jié)合的RF解決方案

  • 研華TREK產(chǎn)品采用輔助GPS（A-GPS）、航位推算、藍(lán)牙和WWAN協(xié)議（GPRS/GSM或CDMA/HSDPA），能夠保證設(shè)備在高樓、山區(qū)、峽谷、隧道和地下停車場(chǎng)等區(qū)域正常工作，提升車隊(duì)管理效率和競(jìng)爭(zhēng)力。TREK系列產(chǎn)品采用寬溫工作范
  • 關(guān)鍵字： RF  解決方案  結(jié)合  通訊  WAN  GPS  

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

  • 摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
  • 關(guān)鍵字： CMOS  VTH  電壓基準(zhǔn)    

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

高速通信的混頻器和調(diào)制器設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 高速通信  混頻器  調(diào)制器  混頻  RF  

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈?！　∷矂?dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
  • 關(guān)鍵字： 研究  電路  CMOS  繼電器  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
  • 關(guān)鍵字： 4GHz  CMOS  35  集成    

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
  • 關(guān)鍵字： 流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種  

利用頻譜分析來限制RF功率和寄生噪聲輻射

  • 射頻功率的頻域測(cè)量是利用頻譜和矢量信號(hào)分析儀所進(jìn)行的最基本的測(cè)量。這類系統(tǒng)必須符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率傳輸和寄生噪聲輻射的限制，還要配有合適的測(cè)量技術(shù)來避免誤差?！　∠耦l率范圍、中心頻率、分辨帶寬(RBW)和測(cè)量
  • 關(guān)鍵字： 寄生  噪聲  輻射  功率  RF  頻譜  分析  限制  利用  
共1573條 61/105 |‹ « 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 » ›|

rf-cmos介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473