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TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別

　　本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　電平的概念：　　什么是電壓、電流、電功率?無(wú)線電愛(ài)好者都十分清楚。而談及“電平”能說(shuō)清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到，書(shū)刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減，就連電工必備的萬(wàn)用表上都有專測(cè)電平的方法和刻線，而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常?？梢?jiàn)。盡管如此，
關(guān)鍵字： TTL CMOS

基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

　　在很多場(chǎng)合，由于客觀條件限制，人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行直接觀察，只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來(lái)代替完成，在此背景下發(fā)展起來(lái)的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應(yīng)用技術(shù)之一，它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場(chǎng)合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)圖像采集，必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn)：　　(1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)對(duì)價(jià)格敏感。　　物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，傳感節(jié)點(diǎn)數(shù)目成百上千，若每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本提高一點(diǎn)，整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會(huì)提高很多。所以傳感節(jié)點(diǎn)圖像采集的成本應(yīng)盡量低。　　(2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)圖像質(zhì)量要求
關(guān)鍵字：單片機(jī) CMOS

MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)量
關(guān)鍵字： MIT CMOS

MIT開(kāi)發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測(cè)的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因?yàn)楣饩€波長(zhǎng)比無(wú)線電波長(zhǎng)小10萬(wàn)倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測(cè)量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測(cè)
關(guān)鍵字： MIT CMOS

設(shè)計(jì)原則：?jiǎn)纹瑱C(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

每天新產(chǎn)品時(shí)刻新體驗(yàn)一站式電子數(shù)碼采購(gòu)中心專業(yè)PCB打樣工廠，24小時(shí)加
關(guān)鍵字： ROM PCB CMOS

TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
關(guān)鍵字： TTL CMOS

關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識(shí)要點(diǎn)，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“0”，這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL 電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
關(guān)鍵字： TTL CMOS

CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

　　一、CMOS門(mén)電路　　CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
關(guān)鍵字： CMOS TTL

【E問(wèn)E答】CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端如何處理？

CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作？一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能
關(guān)鍵字： CMOS TTL

汽車(chē)圖像傳感器在提高行車(chē)安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用

　　近年來(lái)，在政府對(duì) 汽車(chē)安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者駕乘體驗(yàn)及自動(dòng)駕駛的趨勢(shì)推動(dòng)下，汽車(chē) 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。汽車(chē)圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高行車(chē)安全的同時(shí)還提升用戶駕乘體驗(yàn)，成為近年來(lái)汽車(chē)領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測(cè)顯示，2014-2018年間汽車(chē)CMOS 傳感器市場(chǎng)的收入年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到28%。　　汽車(chē)圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域　　汽車(chē)圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛，包括用于視覺(jué)應(yīng)用如倒車(chē)影像、前視、后視、俯視、全景泊車(chē)影像、車(chē)
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索尼仍是CMOS感光元件市場(chǎng)絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者

　　對(duì)于消費(fèi)者而言，智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購(gòu)買(mǎi)的重要因素之一，這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)。在未來(lái)5年里，CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達(dá)到190億美元。而就目前而言，索尼依然是CMOS感光元件市場(chǎng)的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。　　根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì)，CMOS感光元件市場(chǎng)在2015年總市值達(dá)到67億美元，而單單索尼就控制著其中35%的市場(chǎng)份額(36億美元)。而其余的競(jìng)爭(zhēng)者都無(wú)法撼動(dòng)索尼的地位，不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
關(guān)鍵字：索尼 CMOS

MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

　　在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。　　比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門(mén)總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問(wèn)題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。　　28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單？坦承錯(cuò)估CMOS需求

　　Sony 24日盤(pán)后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財(cái)測(cè)，而熊本強(qiáng)震雖對(duì)Sony營(yíng)益帶來(lái)1,150億日?qǐng)A的影響，不過(guò)Sony仍預(yù)估今年度營(yíng)益有望呈現(xiàn)增長(zhǎng)，也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲?！　「鶕?jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià)，截至臺(tái)北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日?qǐng)A，稍早最高漲至3,058日?qǐng)A、創(chuàng)4月21日以來(lái)新高水準(zhǔn)?！　〔贿^(guò)全球智能手機(jī)成長(zhǎng)減速，也對(duì)Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來(lái)沖擊，Sony也坦承嚴(yán)重錯(cuò)估了使
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道

　　在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)所推動(dòng)，還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng)，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見(jiàn)，如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì)，審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助?！　‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
關(guān)鍵字： CCD CMOS

如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

　　在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！　∫弧⑾旅娴囊恍┫到y(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：　　1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)。　　2、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開(kāi)關(guān)等?！　?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。　　二、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：　　1、選用頻率低的微控制器：　　選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關(guān)鍵字：電磁兼容 CMOS