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工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對比

  • 在比較CCD和CMOS技術(shù)時試圖確定一個“贏家”，但這真的對兩者都有損公正，因為每種技術(shù)都是獨一無二的，提供不同的終端用戶優(yōu)勢，東西好不好要看怎么用。
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模擬IC與數(shù)字IC異同

  • 　　處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號，都是脈沖方波?！　∧MIC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數(shù)字信號的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

  • 　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題。　　CMOS門電路　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法：　　與門和與非門電路　　由
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干貨分享：工程師教你如何設(shè)計D類放大器

  • 　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。　　音頻放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動頻帶有限的揚(yáng)聲器時頻率
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對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

  • 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
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什么是TTL電平、CMOS電平？兩者的區(qū)別

  • 　　TTL電平信號對于計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別。　　什么是TTL電平　　TTL電平信號被利用的最多是因為通常數(shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！　TL電平信號對于計算機(jī)處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

  • 　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報導(dǎo)，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計和電子設(shè)計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
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使用CMOS集成電路需要注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題。　　1、電源問題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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關(guān)于電路的那些常識性概念

  • 　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小。　　
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

  • 　　歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬美元的計劃重點是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。 　　除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
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安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機(jī)平臺和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
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CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三

  • 　　在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項技術(shù)除了比原來具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識之外，還在3D化中輕松實現(xiàn)了“模塊化”。 　　 ? 　　通過模塊化手段
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摩爾定律邁入“后CMOS”時代

  • 　　在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 　　“如 果我們能專注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟(jì)學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會議(ISSCC)上對近3,000名與會者表示：“而超越CMOS，我們將看
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歷時兩年,清芯華創(chuàng)完成對OmniVision收購

  • 　　美國 CMOS 圖像感測器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng)等提出收購邀約到完成并購歷時長達(dá)兩年，而在消息公布同時，豪威也于 28 日暫停在那斯達(dá)克證券市場的交易。 　　   　　豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達(dá)克證券市場暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
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【E課堂】數(shù)字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點

  • 　　隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數(shù)字電路中的△I噪聲正逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點，對認(rèn)識△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實際意義?！　》聪嗥魇菙?shù)字設(shè)計的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點。　　1 △I噪聲的產(chǎn)生　　1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生　　TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩(wěn)定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時，電源提供的電流IH和I
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