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一些常用的電平標準
- 現(xiàn)在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法
- 簡介:CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法,供大家參考。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點,輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
- 關(guān)鍵字: CMOS TTL
TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡介:本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 TTL:雙極型器件,一般電源電壓 5V,速度快(數(shù)ns),功耗大(mA級),負載力大,不用端多數(shù)不用處理。 CMOS:單級器件,一般電源電壓 15V,速度慢(幾百ns),功耗低,省電(uA級),負載力小,不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS:它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2,因為 CMOS 的輸入時互補的,保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL:
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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)(3)
- 簡介:繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細枝末節(jié)”小結(jié)一下,和大家共享。 1、在數(shù)字電路中,BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū),放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程,這個過程越長,說明它的動態(tài)性能越差;同理,CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū),恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值,不能過于“含糊”,否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來,這樣
- 關(guān)鍵字: CMOS BJT
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2,但是
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布,該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切,在過去12個月以來,EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍,主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應(yīng)用挹注,制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字: CMOS 3D-IC
ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺,幫助芯片設(shè)計者實現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展,通過該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務(wù),利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進的模擬和混合信號電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進的0.35µm CMOS
- 關(guān)鍵字: ams CMOS
ams收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購?fù)瓿珊?,恩智浦公司旗下先進的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下,有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時測量相對濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示:“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為,提高人類對周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設(shè)備獲取這些信息后,我們可以主動高效地
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