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基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

  • 　　0 引言 　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產(chǎn)生很大的啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 　　所謂熱插拔(Hot
  • 關(guān)鍵字： 電路  熱插拔  MOS  電源  

AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計(jì)

  • 　　1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 　　 　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  驅(qū)動電  放大器  MOS  

34063用于DC－DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應(yīng)用比較廣泛，通用廉價易購。
  • 關(guān)鍵字： 升壓  降壓  功率  MOS  

日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
  • 關(guān)鍵字： MOS  日立  瑞薩  存儲器  

1994年6月，無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收

  • 　　1994年6月，我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國當(dāng)時微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
  • 關(guān)鍵字： 華晶電子  集成電路  MOS  
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