首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

韓半導體投資擴大 設(shè)備廠新年度期待滿滿

  •   韓系半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線,2014年受到半導體市場榮景帶動對產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設(shè)備業(yè)者,預期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。   據(jù)ET News報導,三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉(zhuǎn)換微細制程,導致生產(chǎn)量減少,且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。   三星17產(chǎn)線將于201
  • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  DRAM  

三星及SK海力士將投資19萬億韓元研發(fā)芯片

  •   三星電子和世界頂級的內(nèi)存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬億韓元用于研發(fā)芯片,此次投資計劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據(jù)美國一位對沖基金負責人表示,三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資,改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu),適應市場狀況,調(diào)整市場的供求平衡。   據(jù)悉,一些對沖基金和市場投資機構(gòu)都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發(fā)展。按照投資計劃,三星電子計劃投資3.5萬億韓元,SK海力士計劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示,三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
  • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  DRAM  

三星鎖定存儲器市場7成獲利 SK海力士、東芝緊張

  •   三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利,加速研發(fā)新技術(shù)與擴大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯(lián)手,但技術(shù)力差距牽制不易。同時,因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星,能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點。   據(jù)韓媒E-Daily報導,三星為搶占2015年存儲器半導體市場營業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營收規(guī)模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。   更多
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  存儲器  DRAM  

DRAM樂觀 NAND有隱憂

  •   記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。   DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。   臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀錄。   NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
  • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  海力士  NAND Flash  

20納米制程 躍今年DRAM主秀

  •   隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM,SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產(chǎn),讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù),將正式推進至20奈米世代。   不過,20奈米需要投入龐大的資本支出,各DRAM考量必須在獲利的基礎(chǔ)上進行擴充,也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告,預告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局,支持DRAM持穩(wěn)不墜,今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。   集邦預估,今年DARM產(chǎn)值達541億元,年增16%。
  • 關(guān)鍵字: 三星   DRAM  SK海力士  

三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半

  •   三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程,2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中,將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù),在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。   據(jù)韓國首爾經(jīng)濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。   外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半

  •   三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程,2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中,將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù),在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。   據(jù)韓國首爾經(jīng)濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。   外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  20納米  

服務器DRAM需求旺 帶動明年存儲器市場

  •   服務器DRAM肩負起2015年存儲器市場重任,預計占整體DRAM產(chǎn)出比重可望上看40%,同時DDR4逐漸成為服務器市場主流,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)各自有擴產(chǎn)和轉(zhuǎn)新制程計劃,服務器DRAM扮演重要角色。   存儲器業(yè)者表示,這幾年DRAM應用已快速多元化,有別于過去多數(shù)都應用在個人電腦(PC)上,因高、中、低階智能型手機熱賣,Mobile RAM漸漸嶄露頭角,比重也陸續(xù)超過PC DRAM,2014年開始服務器DRAM比重
  • 關(guān)鍵字: 服務器  DRAM  三星  

新iPhone傳DRAM容量倍增 三星、SK海力士樂開懷

  •   蘋果(Apple)預計2015年推出的新一代iPhone和iPad,傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增,占蘋果DRAM供應量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。   據(jù)南韓經(jīng)濟日報報導,在Mobile DRAM市場上,三星和SK海力士的市占率約達75%。近來使用智能型手機的人口增加,穿戴式裝置市場也逐漸擴大,讓DRAM需求扶搖直上。   據(jù)南韓證券業(yè)者推估,三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
  • 關(guān)鍵字: 蘋果   DRAM  SK海力士  

美光讓利不變 華亞科明年大賺

  •   DRAM廠華亞科與兩大股東臺塑集團、美國美光(Micron)等三方之間,已經(jīng)對明年合約內(nèi)容達成共識,明年華亞科出貨給美光的DRAM計價公式,與今年相同維持不變。    ?   美光DRAM產(chǎn)能配置   華亞科明年將投資逾500億元加速轉(zhuǎn)進20奈米,隨著20奈米產(chǎn)出比重逐月持續(xù)拉升,單位制造成本將持續(xù)下降,只要DRAM價格維持高檔,獲利可望大躍進,全年每股凈利挑戰(zhàn)8元以上。   華亞科去年與美光重新簽訂6年期合約,華亞科產(chǎn)出全數(shù)交給美光,今年初合約內(nèi)容進行部分調(diào)整,給予美光的折扣
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

DRAM將大缺貨?iPhone 7 DRAM容量傳倍增

  •   記憶體品牌威剛科技將于2015年1月6日至9日參與全球消費性電子產(chǎn)品盛事─“國際消費性電子展”(CES)?,F(xiàn)場將展示全產(chǎn)品存儲解決方案,包含高效能DDR4記憶體模組、全系列固態(tài)硬碟(SSD)、USB 3.1外接式存儲裝置、Type C OTG隨身碟、與全方位行動周邊產(chǎn)品。展現(xiàn)最先進的存儲科技。   威剛將實機展示世界最快、時脈達3465 MHz玩家級16GB (4GBx4)XPG Z1 DDR4記憶體模組,搭配全新閃耀金光散熱片,展現(xiàn)極速效能。此外,領(lǐng)先展出時脈3200 MH
  • 關(guān)鍵字: 威剛  DRAM  iPhone 7  

DRAM市場一路順風 韓廠晉升、獎勵不斷

  •   DRAM產(chǎn)業(yè)屢傳佳績,主要供應商三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等業(yè)績大幅改善,三星電子內(nèi)存事業(yè)部晉升人數(shù)創(chuàng)3年新高,員工也可望在2015年初,通過超額利潤分配金分享公司獲利。   據(jù)D-Daily報導,三星電子最近執(zhí)行定期高層人事調(diào)動,2015年度內(nèi)存事業(yè)部晉升規(guī)模達22人,相較2013年14人晉升,2014年升職人數(shù)創(chuàng)近年新高。因今年業(yè)績低迷,三星集團(Samsung Group)主要關(guān)系企業(yè)的人員升遷規(guī)模,相較于往年大幅萎縮,只有內(nèi)存事業(yè)部晉升
  • 關(guān)鍵字: DRAM  爾必達  美光  

1637億!臺灣四大觸控廠債臺高筑

  •   觸控面板廠債臺高筑,截至今年第3季底為止,TPK宸鴻、勝華、接口及洋華等四家業(yè)者,負債合計約1,637億元新臺幣。其中,TPK、勝華、接口的負債比率都高于60%,僅洋華負債比率較低,為17.1%。   勝華不堪財務壓力,大舉裁員,面臨營運存活之際,市場再度關(guān)注觸控面板廠財務狀況。TPK截至今年第3季底,負債總額突破千億元新臺幣、達1,005.92億元新臺幣,比第2季的963億元新臺幣增加4.5%,負債金額居本土四大觸控面板廠之冠。   法人指出,若產(chǎn)業(yè)趨勢向上,業(yè)者透過舉債擴張、放大財務杠桿,有助
  • 關(guān)鍵字: 觸控面板  LED  DRAM  

力晶黃崇仁:物聯(lián)網(wǎng)需求加持,DRAM產(chǎn)業(yè)前景看俏

  •   對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)的看法,記憶體廠力晶執(zhí)行長黃崇仁認為,由于過去5年并沒有新產(chǎn)能加入,而需求端則已從個人電腦拓展至伺服器、行動裝置、消費性電子,以及物聯(lián)網(wǎng)等應用;在供給有限、需求則不斷成長下,從短期來看,預估明年供不應求的缺口仍在,若伺服器及物聯(lián)網(wǎng)需求快速成長,則明年將是大缺貨的一年;若以長期來看,則預估將長期呈現(xiàn)供不應求。   黃崇仁指出,DRAM產(chǎn)業(yè)目前僅剩三星、海力士與美光等三大陣營,預計未來不會像之前一樣盲目擴產(chǎn),因此整體供給將受到節(jié)制。他并點出,物聯(lián)網(wǎng)所用的DRAM,即一般所稱「i-RA
  • 關(guān)鍵字: 力晶  物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  

明年DRAM大缺貨,絕對物聯(lián)網(wǎng)元年

  •   在國內(nèi)也屬于老字號的半導體廠力晶科技,與南亞科、華亞科一樣擁有記憶體產(chǎn)能,也和臺積電、聯(lián)電爭搶邏輯晶片晶圓代工訂單,但創(chuàng)辦人黃崇仁說,力晶不是DRAM廠,也不是Foundry,而是獨步全球的“Open Foundry”。    ?   記憶體廠力晶科技成立20年,創(chuàng)辦人黃崇仁指出,力晶已有了長期穩(wěn)定獲利的成功方程式。圖文/楊曉芳   在這個新的商業(yè)模式下,力晶將締造出年連續(xù)3年、年獲利突破百億元的佳績(2013~2015年),這也是力晶成立20年來第一次出
  • 關(guān)鍵字: 力晶  物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  
共1902條 54/127 |‹ « 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 » ›|

ddr5 dram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473