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存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題

  • IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機(jī)以來，三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報(bào)》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計(jì)劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片  DDR4  DDR5  三星  

2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲(chǔ)芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
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第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見止跌訊號

  • TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
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DRAM市況何時(shí)回溫？存儲(chǔ)廠商這樣說

  • 當(dāng)前，由于消費(fèi)電子市場需求持續(xù)疲弱，當(dāng)前存儲(chǔ)器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探。為避免存儲(chǔ)器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價(jià)，多家供應(yīng)商已經(jīng)開始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價(jià)格跌幅將達(dá)13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為，受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲(chǔ)  

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景

  • 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場庫存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底，市場備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估，第一季營收走勢可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認(rèn)為，DRAM上半年仍會(huì)處于供過于求，但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)模組  威剛  宇瞻  DRAM  

外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動(dòng)力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%，超越 Mobile DRAM

  • IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報(bào)告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報(bào)告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
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威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長動(dòng)能

  • IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫存策略，并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化，預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費(fèi)性需求回籠，以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長動(dòng)能。威剛董事長陳立白進(jìn)一步指出，目前公司對內(nèi)存景氣展望不變，預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫存擠壓嚴(yán)重，各類儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌：最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報(bào)道稱主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎，甚至預(yù)測到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價(jià)可以選擇入手！
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TrendForce：預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報(bào)告指出，全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì)，四家廠商服務(wù)器采購量由原先預(yù)估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%，進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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美光科技宣布DDR5服務(wù)器內(nèi)存已獲驗(yàn)證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器上得到全面驗(yàn)證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動(dòng)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計(jì)算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負(fù)載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準(zhǔn)測試中的性能
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DDR5  服務(wù)器內(nèi)存  
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ddr5 dram介紹

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