首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  NAND Flash  

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  存儲器  

三大存儲模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景

  • 存儲模組大廠威剛認為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場庫存水位較低，看好DRAM價格回溫時間可望早于NAND Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價仍有小幅下跌壓力，但存儲器中下游業(yè)者庫存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲器價格明確落底，市場備貨需求將可望快速啟動，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預估，第一季營收走勢可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認為，DRAM上半年仍會處于供過于求，但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
  • 關(guān)鍵字： 存儲模組  威剛  宇瞻  DRAM  

外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
  • 關(guān)鍵字： 存儲  3D DRAM  

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達 37.6%，超越 Mobile DRAM

  • IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對強勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
  • 關(guān)鍵字： DRAM  市場  

威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復增長動能

  • IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時掌握產(chǎn)業(yè)變化，預期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費性需求回籠，以及各項產(chǎn)品單機內(nèi)存搭載容量快速成長，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復成長動能。威剛董事長陳立白進一步指出，目前公司對內(nèi)存景氣展望不變，預期本季內(nèi)存價格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DRAM  

存儲設(shè)備庫存擠壓嚴重，各類儲存卡、SSD 價格暴跌：最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報道稱主要存儲廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預期保持謹慎，甚至預測到 2023 年第四季度才能回暖。價格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價格預計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價格預計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價可以選擇入手！
  • 關(guān)鍵字： DRAM  市場  

TrendForce：預計一季度服務器 DRAM 價格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報告指出，全球經(jīng)濟持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務供應商下修 2023 年服務器采購量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預計，四家廠商服務器采購量由原先預估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務器整機出貨年增率下降到 1.87%，進一步加劇 Server DRAM 供
  • 關(guān)鍵字： DRAM  市場  

美光科技宣布DDR5服務器內(nèi)存已獲驗證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動當今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關(guān)重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準測試中的性能
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DDR5  服務器內(nèi)存  

美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數(shù)）的基準測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強的性
  • 關(guān)鍵字： DDR5  美光  

美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番，為當今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  英特爾至強  

SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DDR5  

三星電子計劃明年擴大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺 EUV 光刻機

  • IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級 DRAM。截至今
  • 關(guān)鍵字： 三星  晶圓代工  DRAM  
共1913條 9/128 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|

ddr5 dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473