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臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動近期趨頻繁
- 近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
- 關(guān)鍵字: DRAM 其他IC 制程
英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲器
美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世
- 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
- 關(guān)鍵字: IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
ddr5 dram介紹
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