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臺灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動近期趨頻繁

  •     近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況,DRAM業(yè)界多認為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。    華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
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半導體分析師認為DRAM價格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調(diào)高,理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調(diào)高至“買進”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預測,當年將共建成16條生產(chǎn)線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經(jīng)濟衰退中受到嚴重打擊,可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

  •   iSuppli最新發(fā)布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導廠商,市場占有率高達42%,去年同期為40%。
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美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

  •   1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

  •   1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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ddr5 dram介紹

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