首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

三大DRAM廠商瘋狂擴(kuò)產(chǎn) 致內(nèi)存價(jià)崩潰

  • 　　據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價(jià)格近期出現(xiàn)大幅下跌。 　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測(cè)，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。 　　美光科技由于預(yù)測(cè)07年受手機(jī)市場帶動(dòng)，CIS（C
  • 關(guān)鍵字： DRAM  擴(kuò)產(chǎn)  存儲(chǔ)器  

海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)

  • 　　5月16日，據(jù)香港媒體報(bào)道，海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。 　　海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對(duì)媒體表示，目前，移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格尚沒有止跌，但是希望下半年通過供需的改善，需求應(yīng)該會(huì)快速成長。 　　2006年，由于電腦存儲(chǔ)芯片需求超過預(yù)期，導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導(dǎo)致供過于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  海力士半導(dǎo)體  存儲(chǔ)器  

DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

  • 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  內(nèi)置產(chǎn)品  消費(fèi)電子  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

全球12吋DRAM廠版圖擴(kuò)大　亞洲成為戰(zhàn)略重地

  • 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式對(duì)外宣布，將在未來5年出資20億歐元，在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠，自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場卡位，其中，北有爾必達(dá)(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺(tái)灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢(mèng)達(dá)，全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進(jìn)廠。 奇夢(mèng)達(dá)26日表示，未來5年內(nèi)將在新加坡花費(fèi)高達(dá)20億歐元興建12吋廠，奇夢(mèng)達(dá)全球總裁暨執(zhí)行長羅建
  • 關(guān)鍵字： 12吋  DRAM  消費(fèi)電子  亞洲  戰(zhàn)略重地  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

Hynix勢(shì)頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危

  • 4月28日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點(diǎn)，可能被競爭對(duì)手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報(bào)告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個(gè)百分點(diǎn)。這是自2000年以來，三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。  在過去的五年中，三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下，競爭對(duì)手Hynix的市場份額達(dá)到了22.8%。銷售額達(dá)到了21.82億美元，同比增長6
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Hynix  三星  消費(fèi)電子  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道

  • 　　4月19日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。 　　在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì)（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 　　Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
  • 關(guān)鍵字： DRAM  PRAM  存儲(chǔ)器  

4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本

  • 據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營著一個(gè)在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7％，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來自4月上旬的合約價(jià)格，它們顯示出DR
  • 關(guān)鍵字： DRAM  消費(fèi)電子  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本

  • 　　4月11日消息，據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 　　據(jù)IDG新聞社報(bào)道，運(yùn)營著一個(gè)在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 　　大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來
  • 關(guān)鍵字： DRAM  成本  合約價(jià)格  存儲(chǔ)器  

揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

  • 　　存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 　　易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
  • 關(guān)鍵字： DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲(chǔ)器  

印度半導(dǎo)體離中國還很遠(yuǎn)

  • 29年前,美國愛達(dá)荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測(cè)試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報(bào)記者專訪。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險(xiǎn)家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  存儲(chǔ)器  

美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠

  •     2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測(cè)試?！　榇?，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成，總投資將達(dá)到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測(cè)試工廠，其第一家封裝測(cè)試工廠于1998年在新
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  存儲(chǔ)器  

DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

  • 　　DRAM 8英寸線將逐漸退出 　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競爭最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。 　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì)，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。 　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
  • 關(guān)鍵字： 8英寸  DRAM  IC制造  單片機(jī)  理性突圍  嵌入式系統(tǒng)  存儲(chǔ)器  

DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

  • 　　推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。    &
  • 關(guān)鍵字： 8英寸  DRAM  IC  存儲(chǔ)器  

奇夢(mèng)達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗(yàn)證

  • 奇夢(mèng)達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗(yàn)證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個(gè)75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項(xiàng)新的技術(shù)平臺(tái)和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢(mèng)達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項(xiàng)新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負(fù)責(zé)奇夢(mèng)達(dá)的市場和運(yùn)作，也是管理委員會(huì)的委員之一的賽佛(Thomas&
  • 關(guān)鍵字： 75納米  DRAM  單片機(jī)  技術(shù)驗(yàn)證  南亞科技  奇夢(mèng)達(dá)  嵌入式系統(tǒng)  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無線  存儲(chǔ)器  

因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位

  •       iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個(gè)月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動(dòng)個(gè)人電腦銷售增長?！?nbsp; 　　這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報(bào)告中調(diào)升短期DRAM市況評(píng)等，由原先的“中性”升至“正向”?！　?nbsp; 　　iSuppli在9月5日發(fā)表的報(bào)告中指出，8月初時(shí)，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加?！?nbsp; 　　由于微處理器
  • 關(guān)鍵字： DRAM  PC  單片機(jī)  庫存  嵌入式系統(tǒng)  消費(fèi)電子  需求  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  
共1908條 126/128 |‹ « 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 »

ddr5 dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473