feram 文章進(jìn)入feram技術(shù)社區(qū)

從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無(wú)延遲數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求

在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè)，2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷售額有望增長(zhǎng)61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。2020-2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及增速富士通半導(dǎo)體（即將更名為RAMXEED）作為FeRAM產(chǎn)品全球兩個(gè)主要供應(yīng)商之一，只專注于高性能存儲(chǔ)器FeR
關(guān)鍵字：富士通 RAMXEED FeRAM

【對(duì)話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路

_____隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)算力和存儲(chǔ)的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的計(jì)算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開(kāi)始探索新的計(jì)算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時(shí)代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲(chǔ)和計(jì)算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院聯(lián)合舉辦了一場(chǎng)學(xué)術(shù)交流訪談會(huì)，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團(tuán)隊(duì)在鐵電材料和器件研究方面的最新成
關(guān)鍵字：鐵電晶體管 FeRAM

瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，F(xiàn)eRAM以獨(dú)特性能發(fā)力智能物聯(lián)時(shí)代增量市場(chǎng)

存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動(dòng)下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時(shí)代，存儲(chǔ)器行業(yè)的“加速鍵”隨之開(kāi)啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，自2019年以來(lái)，存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場(chǎng)空間從2019年的1110億美元將增長(zhǎng)至2025年的1850億美元。細(xì)分市場(chǎng)中，以FeRAM（鐵電存儲(chǔ)）和ReRAM（電阻式存儲(chǔ)）為代表的新型存儲(chǔ)器市場(chǎng)增速最快，將從5億美元增長(zhǎng)到40億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到42%，發(fā)展?jié)摿薮?。圖1 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及增速（資料來(lái)源：YOLE）業(yè)界將相變存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器、磁
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) FeRAM

未來(lái)新型存儲(chǔ)器技術(shù)將主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng) 其中FeRAM有什么競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細(xì)分市場(chǎng)，約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時(shí)代的到來(lái)，將引起存儲(chǔ)行業(yè)的新一輪爆發(fā)。新的存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長(zhǎng)時(shí)間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。隨著萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求，促使新型存儲(chǔ)器迅速發(fā)展，影響未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局。新型存儲(chǔ)器是未來(lái)選擇據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，2019年以來(lái)，存儲(chǔ)器成為
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FeRAM

非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM

本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯?chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前應(yīng)用于存儲(chǔ)
關(guān)鍵字： FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲(chǔ)器

揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

　　存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長(zhǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲(chǔ)器

共6條 1/1 1

feram介紹

　　FeRAM.它是利用鐵電薄膜的雙穩(wěn)態(tài)極化特性——電滯回線制備的非易失性存儲(chǔ)器，將鐵電薄膜技術(shù)與集成電路工藝相結(jié)合制作鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）是新興的邊緣學(xué)科-集成鐵電學(xué)中電引入矚目的研究方向。　　從目前的市場(chǎng)情況看，不揮發(fā)存儲(chǔ)器的市場(chǎng)增長(zhǎng)速度已高于DRAM和SRAM。應(yīng)用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動(dòng)電話、掌上電腦、手提計(jì)算機(jī)、嵌入式微處理器等領(lǐng)域。不揮發(fā)存儲(chǔ)器最巨大的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)在嵌入式 [ 查看詳細(xì) ]

feram 文章 進(jìn)入feram技術(shù)社區(qū)