日本DRAM廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄接受彭博信息(Bloomberg)專訪時提到，目前惡化的DRAM市況可望在2010年度下半觸底;2011年度第1季(4~6月)回穩(wěn)。他同時透露爾必達考慮將廣島廠產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)Mobile DRAM的訊息。
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爾必達 DRAM
據(jù)國外媒體報道，去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達今天表示，由于芯片價格的“意外”下滑，該公司計劃將產(chǎn)能削減25%。
在芯片制造業(yè)中，產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計算。爾必達將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時恢復產(chǎn)能。
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爾必達 晶圓 DRAM
由于DRAM價格再度崩跌，原本財務(wù)體質(zhì)就相當孱弱的臺廠再度面臨難關(guān)，DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動，但業(yè)者預期這次參與整并成員將單純許多，美光(Micron)陣營的南亞科和華亞科在臺塑集團財務(wù)支持下，已走出自己的路，不過，力晶、茂德、瑞晶合計26萬片12寸產(chǎn)能，恐怕都將成為爾必達(Elpida)囊中物。
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美光 DRAM
由于DRAM價格再度崩跌，原本財務(wù)體質(zhì)就相當孱弱的臺廠再度面臨難關(guān)，DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動，但業(yè)者預期這次參與整并成員將單純許多，美光(Micron)陣營的南亞科和華亞科在臺塑集團財務(wù)支持下，已走出自己的路，不過，力晶、茂德、瑞晶合計26萬片12寸產(chǎn)能，恐怕都將成為爾必達(Elpida)囊中物。
DRAM產(chǎn)業(yè)2年前的整并賽轟轟烈烈開演，最后卻草草收場，大家都把理由推給DRAM價格反彈，不需再由政府插手，經(jīng)濟部亦樂得拋開燙手山芋，臺系DRAM廠則沈溺在報價反彈的榮景，紛購買機臺及轉(zhuǎn)換制程擴產(chǎn)
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Micron DRAM
據(jù)國外媒體報道，去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達今天表示，由于芯片價格的“意外”下滑，該公司計劃將產(chǎn)能削減25%。
在芯片制造業(yè)中，產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計算。爾必達將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時恢復產(chǎn)能。
爾必達總裁阪本幸雄說：“目前還不清楚價格會下降多少。我們這樣做是試圖阻止價格進一步下滑。”
據(jù)存儲芯片網(wǎng)絡(luò)交易商集邦科技(DrameXchange.com)的數(shù)據(jù)顯示，基準芯片價格在上一季度暴跌24%后，本
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爾必達 DRAM
集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營收數(shù)字達108億美元，雖然DRAM 總產(chǎn)出量季成長15%，但在第3季合約價跌幅超乎預期拖累，相較于上季營收104億美元，僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上，韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率，日系廠占16.3%，美系廠占12.2%，臺廠則微幅下滑至10.3%。
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集邦科技 DRAM
日系存儲器大廠爾必達(Elpida)雖然預期2010年第2季(7~9月)財報較2009年同期大幅增加，但相較上季卻是明顯縮水，主要還是受到個人計算機(PC)市場需求不振的影響，未來爾必達在標準型DRAM產(chǎn)品在線，將越來越依賴臺系DRAM合作伙伴的產(chǎn)能奧援，爾必達自己的12寸晶圓廠將聚焦在附加價值高的Mobile RAM產(chǎn)品在線。
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爾必達 DRAM
臺系DRAM廠茂德公布第3季財報，一如市場預期，第3季在沒有巨額業(yè)外獲利挹注的情況下，虧損持續(xù)擴大，稅后虧損達新臺幣38.96億元，以減資后股本計算，每股稅后虧損1.5元;茂德第3季營收則是呈現(xiàn)成長，主要是導入爾必達(Elpida)63納米制程技術(shù)所帶來的出貨量成長貢獻，但也因為DRAM平均單價下滑影響，營收成長幅度未如預期，僅小幅成長8.76%。
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茂德 DRAM
路透報導，全球第2大手機廠商三星電子(Samsung Electronics)表示，因PC市場需求降溫，DRAM供過于求的狀況將持續(xù)到2011年第2季。
三星的高層指出，雖然市場需求逐漸疲軟，但因投資增加的結(jié)果，供給會持續(xù)上揚，這也使得DRAM市場出現(xiàn)供給過剩的問題，可能要等到2011年中狀況才會解除。
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三星電子 DRAM
受惠于出貨成長及轉(zhuǎn)進優(yōu)勢芯片的策略奏效，南韓海力士半導體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預估，內(nèi)存芯片價格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。
海力士周四公布，第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場預期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍，同時逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。
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海力士 DRAM
DRAM廠第3季經(jīng)歷最冷的傳統(tǒng)旺季，營運成績單并不亮眼，其中南亞科和華亞科虧損較第2季擴大，力晶雖然第3季是少數(shù)獲利的DRAM廠，但獲利幅度較第2季大幅縮水，瑞晶則是臺系DRAM廠中，唯一獲利幅度逆勢超過第2季的業(yè)者，而茂德第3季則是續(xù)虧;展望第4季營運，目前DRAM價格還有修正空間，各廠力拼制程演進來降低成本。
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瑞晶 DRAM
韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應(yīng)用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。
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海力士 DRAM 20納米
DRAM存儲器半導體價格跌勢持續(xù)第5個月，韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix)等存儲器公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機。
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海力士 DRAM
南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb芯片價格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，這3家臺DRAM廠恐將全數(shù)虧損。
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力晶 DRAM
受內(nèi)存廠先進制程持續(xù)開出，內(nèi)存封測及材料廠第4季接單量明顯成長，不過，由于DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取內(nèi)存)價格走低影響，封測價格也面臨降價壓力，因此第4季呈現(xiàn)量增價跌格局，預期各家營收維持小幅成長3~10%不等，是半導體業(yè)中少數(shù)還能維持成長的族群。
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DRAM 內(nèi)存封測
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