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EEPW首頁 >> 主題列表 >> di／dt

什么是dV/dt失效

  • 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
  • 關(guān)鍵字： 羅姆半導體  dv  dt  

Limata創(chuàng)新型的LUVIR技術(shù)加速PCB防焊量產(chǎn)制程

  • 專業(yè)LDI設(shè)備制造商Limata日前正式發(fā)布其獨有的、經(jīng)過市場驗證的適用于所有X系列產(chǎn)品的LUVIR技術(shù)?。此獨特的LDI技術(shù)在降低設(shè)備維護成本的同時，能顯著提高防焊油墨的成像速度。創(chuàng)新的技術(shù)降低了成像需求UV光的能量，同時帶來成像速度的提升在PCB制造制程中，防焊油墨的成像品質(zhì)一直受到不斷提升的對位精度和成像精度要求的挑戰(zhàn)。相對于干膜成像，防焊油墨的成像需要更高的UV能量。因此市場上多波長DI的解決方案（多波長對應于UV光波段）對高產(chǎn)出的需求而言太慢，生產(chǎn)廠家的成本也更高（更多的成像單元或更多機臺需求）
  • 關(guān)鍵字： UV  IR  DI  

歐司朗第三財季危機管理取得成效，有信心實現(xiàn)財年預期

  • 通過在全球?qū)用娌扇∥C管理等應對措施，歐司朗在第三財季有效降低了疫情影響。歐司朗第三財季營業(yè)收入為6.06億歐元，在一年內(nèi)可比基礎(chǔ)上下降29.4%，但與行業(yè)主要銷售市場相比，表現(xiàn)好于預期?？鄢厥忭椖壳埃愊⒄叟f及攤銷前利潤（EBITDA）為負2,700萬歐元，遠高于預期。其中，汽車業(yè)務（AM）受疫情沖擊最嚴重，而光電半導體業(yè)務（OS）則有著良好表現(xiàn)，與預期相符。由于資金流動性的有效管理，全公司的自由現(xiàn)金流控制在負700萬歐元。-? ?受疫情沖擊營業(yè)收入下降，仍優(yōu)于行業(yè)整體表現(xiàn)-&nb
  • 關(guān)鍵字： OS  AM  DI  

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
  • 關(guān)鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān)：信號傳播的整個路徑，包
  • 關(guān)鍵字： DT  DV  DL  電壓突變  

如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（上）

  • 高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來實施。
  • 關(guān)鍵字： di/dt  德州儀器  電源設(shè)計小貼士  電源管理  

德國慕尼黑電子展的三大主旋律：創(chuàng)新，安全，無線

  • 作者/ 王瑩 ? 電子產(chǎn)品世界編輯創(chuàng)新　　德國慕尼黑，11月7日，《電子產(chǎn)品世界》編輯第一次來到了慕名已久的electronica(慕尼黑電子展)。11月7日晚，創(chuàng)新設(shè)計家兼未來學家Vto Di Bari教授在electronia組委會舉辦的官方歡迎晚宴上做了“明天可連接世界中的一天生活”的主題演講?！　∪藗冋J識事物通常是1個H和5個W，即怎樣(How)、何時(When)、為什么(Why)、什么(what)、哪里(where)和誰(who)。我們可以假設(shè)一個動物在自然界如何捕食其他動物，然后再推
  • 關(guān)鍵字： 德國慕尼黑  Vto Di Bari  NXP CEO Rick Clemmer  201612  

深度解讀阿里云六年成長歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

  • 　　6年前，云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領(lǐng)先的云計算服務平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術(shù)等方向的判斷。 　　7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開，吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上，阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護倡議，明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有，平臺方不得移作它用。
  • 關(guān)鍵字： 阿里云  DT  

DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹

  • 　　6月9日，據(jù)國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡，同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領(lǐng)域展開更好的競爭。 　　目前為止，蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡供應商和技術(shù)供應商來支持該公司的消費者服務，例如iTune音樂和電影服務、iCloud存儲圖片和其它內(nèi)容服務、以及Siri語音助手服務。未來一段時間，蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務和產(chǎn)品供應商，因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎(chǔ)設(shè)施。 　　據(jù)知
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阿里巴巴全球布局數(shù)據(jù)中心 謀DT時代戰(zhàn)略

  • 雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災難性的事故了。
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數(shù)位儀表設(shè)計-HY12P65簡化可攜式電量測量設(shè)計

  • 　　一、?前言　　在可攜式電量測量設(shè)備中，常見有數(shù)位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉(zhuǎn)換量測。平均值轉(zhuǎn)換的電量測量設(shè)備并非真正測量方均根值，而是以正弦波交流信號，做信號平均值測量，校正所得到的量值。對于非正弦波而言，可能會有相當程度的誤差。因此很
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探索諾基亞無線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  • 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產(chǎn)品的一級外配。...
  • 關(guān)鍵字： DT-910  無線充電  諾基亞  

晶閘管燒壞的真實原因解析

  • 摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
    關(guān)鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關(guān)斷時間

    晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
  • 關(guān)鍵字： 晶閘管  dv／dt  di／dt  開通時間  關(guān)斷時間  

可控硅dIT/dt測試線路的設(shè)計與測量

  • 摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數(shù)，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設(shè)計一個能準確測量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結(jié)果，與該產(chǎn)品說明書的值一致。可應用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
  • 關(guān)鍵字： 測試  可控硅  dIT/dt  201208  

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

  • 在工業(yè)、汽車和航空電子應用中，經(jīng)常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統(tǒng)中，負載階躍 (負載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴重的瞬變。
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  電阻器  dI/dt  
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