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半導體產業(yè)第四季度前景不明,令第三季度的正面業(yè)績失色
![](http://editerupload.eepw.com.cn/200811/5ef7195ff34b9a81f929bdb422814463.jpg)
- 盡管2008年第三季度企業(yè)業(yè)績符合預期,但企業(yè)難以量化經濟危機的影響程度,這使其不好確定2008年第四季度業(yè)績將會如何。這種不確定性讓今年余下時間內電子供應鏈將處于何種狀況存疑。 半導體供應鏈中發(fā)布較早的企業(yè)財報顯示,2008年第三季度的情況符合預期。由于企業(yè)預計營業(yè)收入將落在通常區(qū)間低端,所以通常都能輕松實現(xiàn)業(yè)績目標。但是,盡管第三季度半導體供應鏈中的多數(shù)企業(yè)都達到了營業(yè)收入目標,但10月呈現(xiàn)的趨勢讓廠商不敢對第四季度前景抱有樂觀期望。 第四季度前幾周需求下降且能見度有限,使得2008年
- 關鍵字: 半導體 電子產業(yè) OEM DRAM
終端需求無力 DRAM合約價再重挫
- 據(jù)Digitimes網站報道,終端需求持續(xù)疲弱,11月上旬DRAM合約價再跌10%,DRAM市場沒有任何止跌跡象,而現(xiàn)貨價跌勢亦讓合約價無法止跌回穩(wěn),不少DRAM大廠為消化庫存,不斷以低價方式銷售DRAM模塊,讓市場價格陷入凍結,即使多家DRAM廠宣布要減產救市,但目前對于DRAM價格仍沒有太大激勵性。 受全球金融海嘯沖擊,2008年下半電子產業(yè)傳統(tǒng)旺季失靈,DRAM價格也在旺季中出現(xiàn)重挫,不僅最新出爐的11月上旬DRAM合約價再跌10%之多,1Gb容量DDR2價格僅剩下1.19美元,下半
- 關鍵字: DRAM 存儲器 金融海嘯
半導體市場景氣不在 復蘇時間難料
- 設備大廠應用材料執(zhí)行長麥可史賓林特(Mike Splinter)28日在日本參加2008年世界經營者會議時表示,受到這波全球金融風暴影響,半導體市場景氣在未來幾個季度都難見到回復,2009年半導體市場恐將持續(xù)低迷,要等到2010年新的技術導入市場后,才會見到復蘇跡象。另外,麥可史賓林特看好太陽能電池市場,并指出綠色能源將創(chuàng)造出新的產業(yè)。 半導體市場受到全球金融風暴沖擊,讓國內外各半導體大廠開始看淡明年景氣,其中應用材料執(zhí)行長麥可史賓林特首度對明年市況發(fā)表看法。他表示,在美國次級房貸及金融風暴
- 關鍵字: 半導體 DRAM NAND 太陽能
DRAM廠另謀出路 搶進晶圓代工市場
- DRAM現(xiàn)貨價跌破一美元,DRAM廠為了維持12吋廠利用率,但又不想再繼續(xù)燒錢生產DRAM,所以包括力晶及茂德,已經開始把12吋廠產能移轉投入晶圓代工市場。據(jù)了解,兩家業(yè)者利用12吋廠經濟規(guī)模優(yōu)勢,大搶LCD驅動IC、CMOS感測器等訂單,已對聯(lián)電、世界先進等造成沖擊。 DRAM報價持續(xù)探底,燒錢速度愈來愈快,DRAM廠為了守住手中現(xiàn)金,均大砍明年資本支出,延緩50奈米制程微縮。再者,因為50奈米以下DRAM制程需導入先進的浸潤式微影技術,投資金額過于龐大,也不適合將現(xiàn)有12吋廠進行改建。所
- 關鍵字: DRAM CMOS
DRAM廠家紛紛計劃撤出國內生產線
- 由于出現(xiàn)歷史上最大虧損,各大電腦記憶芯片(DRAM)廠家紛紛計劃撤出內地生產線。 全球金融海嘯的持續(xù)蔓延,除了金融業(yè)之外,致使電子產業(yè)也虧損連連。由于DRAM芯片價格的大幅下跌,DRAM廠商力晶、南亞科技和華亞科技前三季虧損高達683億新臺幣,可以說是史上最慘的一次。 目前國際品牌紛紛減少在中國的生產采購,造成沿海經濟嚴重受挫。而大部分在國內設立的代工廠日子更是不好過。鑒于這種狀況,華亞科技日前透露,該公司已減少了旗下約20%的DRAM芯片產能,減產策略帶來的影響預計將會在其1
- 關鍵字: DRAM
恐慌心理籠罩下的全球半導體業(yè)
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- 30年來全球最嚴重的金融風暴來臨,與2000年時網絡泡沫破裂不同,此次涉及到全球范圍,包括美,日,英,德等幾乎無一能幸免。而且風暴延續(xù)多久目前尚難定論。 對于半導體業(yè)的影響有兩點己經達成共識:今年感恩、圣誕和元旦新年節(jié)前的旺季不旺以及明年上半年半導體業(yè)將繼續(xù)走軟。 分析內因主要仍是存儲器的供過于求,導致價格繼續(xù)下跌。近期的全球金融危機影響,又使資金緊縮及消費者信心指數(shù)下降,導致庫存問題進一步惡化。 分析外部原因,由于全球經濟大環(huán)境的惡化造成產業(yè)界的心理恐慌,在此背景下很難作出正確判斷,
- 關鍵字: 處理器 英特爾 DRAM 半導體
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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