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8G的芯片我們究竟能用多少？

  • 　　存儲(chǔ)技術(shù)飛速發(fā)展，存儲(chǔ)成本越來越低，但是我們買到的U盤，硬盤容量卻仍然總是會(huì)比標(biāo)稱值少很多，是廠商為了節(jié)約成本還是有其他苦衷?今天，就讓我們從芯片角度，了解一下存儲(chǔ)設(shè)備實(shí)際容量總是小于標(biāo)稱值更深層次的原因。　　隨著存儲(chǔ)技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)密度和存儲(chǔ)速度都得到了很大的提升，而存儲(chǔ)芯片的成本卻在不斷降低，還記得幾年前買個(gè)8G的U盤需要60塊大洋，而現(xiàn)在僅需要20多塊錢，手機(jī)也從幾年前的4G機(jī)身內(nèi)存飆升到現(xiàn)在的64G、128G內(nèi)存?！　?nbsp;   　　話雖這么說，但是我
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R&S RTO數(shù)字示波器支持eMMC嵌入式多媒體卡接口一致性測(cè)試驗(yàn)證

  • 　　嵌入式多媒體卡(eMMC)是在消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域移動(dòng)電子設(shè)備中經(jīng)常使用的內(nèi)部存儲(chǔ)介質(zhì)。羅德與施瓦茨公司發(fā)布了基于R&S RTO系列示波器的最新一致性測(cè)試軟件，支持eMMC接口的全自動(dòng)一致性認(rèn)證測(cè)試?！　?nbsp;   　　羅德與施瓦茨公司發(fā)布了最新的R&S RTO-K92 eMMC一致性測(cè)試軟件進(jìn)一步擴(kuò)展了R&S RTO系列示波器的功能領(lǐng)域。這一軟件選件提供了嵌入式多媒體卡(eMMC)接口的全自動(dòng)一致性測(cè)試，全面支
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R&S RTO數(shù)字示波器支持eMMC嵌入式多媒體卡接口一致性測(cè)試驗(yàn)證

  • 　　嵌入式多媒體卡(eMMC)是在消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域移動(dòng)電子設(shè)備中經(jīng)常使用的內(nèi)部存儲(chǔ)介質(zhì)。羅德與施瓦茨公司發(fā)布了基于R&S RTO系列示波器的最新一致性測(cè)試軟件，支持eMMC接口的全自動(dòng)一致性認(rèn)證測(cè)試?！　?nbsp;   　　羅德與施瓦茨公司發(fā)布了最新的R&S RTO-K92 eMMC一致性測(cè)試軟件進(jìn)一步擴(kuò)展了R&S RTO系列示波器的功能領(lǐng)域。這一軟件選件提供了嵌入式多媒體卡(eMMC)接口的全自動(dòng)一致性測(cè)試，全面支
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實(shí)際卻少于16G

  • 　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下： 　　   　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
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壞的手機(jī)也不能亂丟，手機(jī)芯片也會(huì)泄露你的隱私

  • 手機(jī)變得越來越智能，許多人的手機(jī)上綁定了支付寶，網(wǎng)銀，微信等賬號(hào)，如果手機(jī)丟掉那么后果將不堪設(shè)想，廢舊手機(jī)被丟掉后，撿手機(jī)的人竟干了這種事，太喪失了，大家長(zhǎng)點(diǎn)心吧。
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Atmel在2015臺(tái)北國(guó)際電腦展上展示完整的可穿戴應(yīng)用解決方案

  • 　　全球微控制器及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel®公司今日推出其首款可穿戴應(yīng)用解決方案，該方案整合了Atmel廣泛的產(chǎn)品組合。Atmel圍繞智能胸牌概念設(shè)計(jì)了一個(gè)7cm x 9cm的演示設(shè)備，它采用低功耗嵌入式處理、無線、觸摸及傳感器技術(shù)打造一個(gè)完整的系統(tǒng)。借助Atmel領(lǐng)先業(yè)界的技術(shù)，這一完整系統(tǒng)解決方案能夠展示幾乎任何類型的可穿戴應(yīng)用。 　　該演示設(shè)備將Atmel及其合作伙伴的多項(xiàng)軟硬件技術(shù)整合到一個(gè)經(jīng)過高度優(yōu)化、開箱即用的完整解決方案中，不僅能夠滿足可穿戴市場(chǎng)的復(fù)雜要求，而且還能將
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中國(guó)有錢也玩不來主流DRAM？

  • 　　資本公司聯(lián)合收購 ISSI，京東方宣告進(jìn)入 DRAM 市場(chǎng)，中國(guó)搶進(jìn) DRAM市場(chǎng)的意圖愈發(fā)明顯，但是大把資金投入是否能得到預(yù)期收貨？DRAM市場(chǎng)是有錢就行嗎？
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三星新儲(chǔ)存元件 讓中端手機(jī)也享大容量

  • 　　在Galaxy S6搭載最高128GB儲(chǔ)存容量后，三星似乎也計(jì)畫讓更多手機(jī)也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時(shí)最高儲(chǔ)存容量達(dá)128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲(chǔ)存元件，并且對(duì)應(yīng)每秒達(dá)260MB讀取速度表現(xiàn)，預(yù)期將使中階規(guī)格以下手機(jī)產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更大儲(chǔ)存容量選擇。 　　 ? 　　根據(jù)三星公布消息，預(yù)計(jì)將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時(shí)最高儲(chǔ)存容量達(dá)128GB的3-bit NAND Flash儲(chǔ)存
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
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研調(diào)：明年NAND Flash產(chǎn)業(yè)續(xù)向上，產(chǎn)值估增12%

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%至276億美元。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半都集中在第三季和第四季，相較之下，上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年會(huì)出現(xiàn)供過于求
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Spansion：eMMC填補(bǔ)市場(chǎng)需求和閃存發(fā)展缺口

  • 　　昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會(huì)，推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場(chǎng)定位和需求情況。 　　與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對(duì)嵌入式客戶設(shè)計(jì)的，這類客戶通常對(duì)于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測(cè)試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品。 　　據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，而Spansio
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SK海力士強(qiáng)化SSD市場(chǎng)　明年量產(chǎn)3D NAND

  • 　　SK海力士(SK Hynix)為加強(qiáng)攻略次世代儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)，將自2015年量產(chǎn)3D NAND Flash。據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士已完成3D NAND研發(fā)作業(yè)，將于2015年正式展開銷售。 　　SK海力士將現(xiàn)有的部分NAND Flash產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為3D NAND產(chǎn)線投入量產(chǎn)，3D NAND將在南韓清州工廠生產(chǎn)。3D NAND不同于半導(dǎo)體Cell平面展開的傳統(tǒng)NAND Flash，而是將Cell垂直堆棧，提升信息處理速度和效能。因半導(dǎo)體微細(xì)化已達(dá)物理性上限，要如何堆棧并提升產(chǎn)品性
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三星小米密謀大招：芯片運(yùn)行速度將為上一代三倍

  • 　　目前旗艦級(jí)手機(jī)上常用的存儲(chǔ)芯片大都支持eMMC 5.0規(guī)范，其理論上最大傳輸速度可達(dá)400MB/s。而據(jù)說三星和小米等正準(zhǔn)備在下代產(chǎn)品中采用UFS 2.0方案的存儲(chǔ)芯片，其理論傳輸速度高達(dá)1.2GB/s。 　　UFS 2.0使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換。它支持全雙工運(yùn)行，可同時(shí)讀寫操作，期間的電源管理也更高效，此外還支持指令隊(duì)列。相比之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包的。 　　上述消息來自韓國(guó)媒體ETNews，該媒體表示三星內(nèi)部人士表示，采用UFS存儲(chǔ)芯片的智
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Gartner：2013年eMCP銷售成長(zhǎng)超越eMMC

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner近日發(fā)布「2013年全球eMMC/eMCP供應(yīng)商市場(chǎng)占有率分析」(MarketShareAnalysis:eMMCandeMCPVendorsbyRevenue,Worldwide,2013)。根據(jù)這份報(bào)告顯示，2013年全球eMMC與EMCP市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到了33.17億美元，其中，三星電子(SamsungElectronics)占35.6%的市占率，成為全球第一的eMMC/eMCP供應(yīng)商。 　　2013年的前四大供應(yīng)商包括三星、東芝(Toshiba)、海力士(SKHynix
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Gartner：2013年eMCP銷售成長(zhǎng)超越eMMC

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner近日發(fā)布「2013年全球 eMMC / eMCP 供應(yīng)商市場(chǎng)占有率分析」(Market Share Analysis: eMMC and eMCP Vendors by Revenue, Worldwide, 2013 )。根據(jù)這份報(bào)告顯示，2013年全球 eMMC 與 EMCP 市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到了33.17億美元，其中，三星電子(Samsung Electronics)占35.6%的市占率，成為全球第一的 eMMC / eMCP 供應(yīng)商。 　　2013年的前四大供應(yīng)商包括三星
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emmc介紹

eMMC為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主，而手機(jī)的內(nèi)嵌式標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格除了eMMC之外，還包括SD協(xié)會(huì)設(shè)立的eSD規(guī)格，但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規(guī)格。 過去NAND Flash技術(shù)只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程，或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片，手機(jī)大廠都相當(dāng)頭痛，必須重新設(shè)計(jì)以及處里兼容性問題，然NAND [ 查看詳細(xì) ]

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