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江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC

  • 受原廠減產(chǎn)，以及需求逐步復蘇的影響拉動，目前半導體存儲產(chǎn)業(yè)進入上行周期，存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升，半導體存儲行業(yè)目前處于上行復蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領先廠商，公司在eMMC向UFS過渡關鍵時點仍然擁有領先的市場地位及技術優(yōu)勢，公司持續(xù)對UFS標準的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā)，公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟建設的發(fā)展，存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領域的重要性逐漸突顯，形成如今相對專業(yè)和獨立的地位。與浮動較多的消費級市場相比，更為穩(wěn)定的工控市場已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
  • 關鍵字： 江波龍  eMMC  工業(yè)  

綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤

  • 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024)，4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列（BGA）固態(tài)硬盤，該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價格敏感但是要求高可靠的應用而準備，工作在寬溫（-25oC至+85oC）環(huán)境下，支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
  • 關鍵字： 綠芯  嵌入式展會  eMMC  NVMe NANDrive  固態(tài)硬盤  

綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價比VX系列固態(tài)硬盤，以擴展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

  • EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數(shù)； 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國，北京和美國，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導體新推出的高性價比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit)，可在寬溫 (-25oC - +85oC)
  • 關鍵字： 綠芯  固態(tài)硬盤  eMMC NANDrive  

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

  • 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
  • 關鍵字： ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案

  • 領先的移動和汽車SoC半導體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司（TSMC）行業(yè)領先的22nm工藝技術擴展其IP產(chǎn)品，用于臺積公司22nm工藝SoC設計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成，從
  • 關鍵字： Arasan  臺積  22nm  eMMC  

西數(shù)推出iNAND IX EM132嵌入式工業(yè)級eMMC SSD

  • 2019年，西部數(shù)據(jù)（WD）推出了首款面向工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的嵌入式 eMMC 存儲設備，它就是 iNAND IX EM132 驅(qū)動器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造，讀速高達 310 MB/s，輔以專為嵌入式、商業(yè)、工業(yè)等用途而設計的各項功能，提升了整體的可靠性和耐用性。
  • 關鍵字： 西數(shù)  嵌入式  eMMC SSD  

關于NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。　　在使用期的性能恒定?！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼糜诮徊娲嫒『笈_管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
  • 關鍵字： NAND  eMMC  UFS  

如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS？

  • 在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
  • 關鍵字： UFS  emmc  數(shù)字接口  

買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G？看完你就懂了

  • 　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢?　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：　　    　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際
  • 關鍵字： eMMC  NAND   

ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

  • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！　?nbsp;  　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
  • 關鍵字： Nand-Flash  eMMC  

eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。
  • 關鍵字： emmc  ufs  數(shù)字接口  

吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后，經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示，有部分手機的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看，以華為官方配置的P10實際速度應該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
  • 關鍵字： 閃存  UFS  eMMC  

手機儲存的未來：eMMC快速轉(zhuǎn)向UFS

  • 隨著游戲與視訊應用在行動裝置上的普及，以及手機處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲存(UFS)規(guī)格應運而生。
  • 關鍵字： eMMC  UFS  

UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動存儲器儲存新主流

  • 　　通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流，將成為未來旗艦手機標準配備，吸引存儲器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。 　　隨著4K影音與虛擬實境等技術日漸成熟，引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫質(zhì)影音的儲存需求，研調(diào)機構IHS預期，UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流。 　　瞄準UFS未來發(fā)展?jié)摿Γ郝?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311，預計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
  • 關鍵字： UFS  eMMC   

eMMC燒錄時需注意的寄存器配置

  • 　　eMMC芯片由NandFlash、控制器和標準接口組成，在應用上，和NandFlash比較，由于控制器的存在，不必考慮ECC和壞塊管理策略，所以eMMC的應用比較簡單。但是，eMMC燒寫只需要把數(shù)據(jù)燒進去就可以了嗎?為什么數(shù)據(jù)寫進去了，系統(tǒng)還是跑不起來? 　　   　　eMMC自誕生以來，就受到各行各業(yè)的追棒，如今，已成為存儲行業(yè)的主流，特別是手機和平板。美國的IHS iSuppli預測到2018年全球的eMMC出貨量達到2200Milion。 　　   　　圖
  • 關鍵字： eMMC  寄存器  
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emmc介紹

eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主，而手機的內(nèi)嵌式標準規(guī)格除了eMMC之外，還包括SD協(xié)會設立的eSD規(guī)格，但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規(guī)格。 過去NAND Flash技術只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程，或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片，手機大廠都相當頭痛，必須重新設計以及處里兼容性問題，然NAND [ 查看詳細 ]

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