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Ramtron宣布提供高速串口F-RAM器件樣片

  • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay? )寫入特性。
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首爾半導(dǎo)體推出用于景觀和舞臺照明的全彩高亮LED

  • 這款全新的大功率高亮度產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了可用于舞臺和景觀照明的全彩性能。需要說明的是，對于戶外照明包括舞臺照明在內(nèi)的景觀照明來說，全彩性能是進(jìn)行情感照明設(shè)計創(chuàng)作時必不可少的因素。而目前，市場對大功率高亮度全彩LED的需求正在不斷增加，可預(yù)見的是，首爾半導(dǎo)體的Z7-F新品將能有效滿足市場需求。
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Ramtron推出64Kbit串口F-RAM存儲器樣片

  • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片。該新產(chǎn)品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以總線速率運(yùn)行且無寫入延遲，并支持高達(dá)1萬億次 (1e12)的讀/寫循環(huán)，這相比同等EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100
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Ramtron出貨首批使用新IBM制造的F－RAM樣片

  • 　　Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗(yàn)證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay?)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
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Ramtron出貨首批用新IBM生產(chǎn)線制造的F-RAM樣片

  • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗(yàn)證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐
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觸控產(chǎn)業(yè)風(fēng)云起 獨(dú)家優(yōu)勢定江山

  • Apple的iPad 2終于來臺開賣，使得相關(guān)概念股的股價持續(xù)發(fā)燒，其中TPK宸鴻、勝華都因提供Apple觸控模塊而大發(fā)利市，而TPK更高居股后地位，有機(jī)會挑戰(zhàn)股王宏達(dá)電。觸控產(chǎn)業(yè)目前無疑正處于高度成長的黃金世代，預(yù)估今(2011)年觸控面板產(chǎn)值可達(dá)87億美金，年成長率達(dá)43%
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線性光耦器件IL300-F-X009原理及其應(yīng)用

  • 摘要：介紹在采集交流永磁同步電機(jī)母線電流時，為防止外界的各種干擾，必須將霍爾傳感器測量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進(jìn)行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號，進(jìn)行電壓檢測，用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選
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Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無線存儲器套件

  • 　　世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應(yīng)用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。 　　
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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

  • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 (pre-paid) 復(fù)費(fèi)率電能
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由單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
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F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較

  • 　　引言 　　高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。 　　若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項(xiàng)重要的設(shè)計考慮事項(xiàng)。
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Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲器MaxArias

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布，現(xiàn)正向數(shù)個行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產(chǎn)品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合，能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。 　　Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
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Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車存儲器產(chǎn)品的新成員。
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關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明

  • 　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。 　　與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
  • 關(guān)鍵字： Ramtron  F-RAM  儲存器  FM14C88  RAID  
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