flash 文章進(jìn)入flash技術(shù)社區(qū)

兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價格沖擊有限

　　據(jù)報導(dǎo)， Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺灣大廠旺宏與華邦電。　　不過，根據(jù)《科技新報》獨(dú)家取得的消息，中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬片。雖然對當(dāng)前市場的供貨有所幫助，但是對價格的沖擊，短期可能有限。　　存儲器業(yè)者透露表示，預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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東芝營益飆升近80% 將加碼投資Flash

　　東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。　　法新社、路透社、金融時報報導(dǎo)，東芝發(fā)布本財年第二季(7~9月)財報，營收年增2.4%至1.24萬億日圓，營益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪調(diào)估計的1,245日圓。不過該季仍呈現(xiàn)虧損，凈損1,001億日圓。　　東芝營益大增，主因存儲器表現(xiàn)強(qiáng)勁，不過東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團(tuán)，代價
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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來越多了，隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了，各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問，這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！　∫弧lash類型芯片的加密　　Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫”以及“擦除”操作，通過
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

自1970年，美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

UFS普及并不缺乏機(jī)會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
關(guān)鍵字： Flash UFS

基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計。
關(guān)鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來，實(shí)現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲 FPGA

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]