gan+sic 文章進(jìn)入gan+sic技術(shù)社區(qū)

使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開為期36個(gè)月的開發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減?！　」桦娫醇夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素?！　　肮こ處煬F(xiàn)在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
關(guān)鍵字： GaN，機(jī)器人

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))　　近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
關(guān)鍵字： ROHM SiC

當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購(gòu)。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化?　　哪些因素在推動(dòng)變革?　　半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅(qū)動(dòng)：對(duì)無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個(gè)位置，無論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿足蜂窩手
關(guān)鍵字：射頻半導(dǎo)體 GaN

“2018 ROHM科技展”：走進(jìn)智能“芯”生活！

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí)，將以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí)，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來六場(chǎng)技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場(chǎng)，與羅姆的技術(shù)專家進(jìn)行面對(duì)面的交流和切磋
關(guān)鍵字： ROHM SiC

基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行?！　”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍，給現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！　×⒆銍?guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管第三代半導(dǎo)體中歐論壇

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級(jí)產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！　≡诂F(xiàn)實(shí)世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！　”热缫幻O(shè)計(jì)工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器，或者正在設(shè)
關(guān)鍵字： SiC GaN

CISSOID和泰科天潤(rùn)（GPT）達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

　　高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項(xiàng)目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤(rùn)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤(rùn)是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時(shí)，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
關(guān)鍵字： CISSOID SiC

納微將在國(guó)際電力電子大會(huì)上發(fā)布GaNFast成果

納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國(guó)深圳舉辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會(huì)議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會(huì)上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進(jìn)展推動(dòng)業(yè)界實(shí)現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會(huì)打造能效、功率密度和快速充電的全新基準(zhǔn)。這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機(jī)、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應(yīng)用。納微將展示客戶
關(guān)鍵字： GaN 電源 IC

基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。　　SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲(chǔ)存，其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。更重
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 SiC

意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器?！　”竞献黜?xiàng)目的重點(diǎn)是開發(fā)和檢測(cè)在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認(rèn)為，該市場(chǎng)將在2019年至2024[1]年有超過2
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 GaN

羅姆參展“2018第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國(guó)家會(huì)展中心(上海)舉行的第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上，羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機(jī)器健康檢測(cè)”為主的工業(yè)設(shè)備解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流。　　羅姆展臺(tái)掠影(展位號(hào)：6.1H　A245)　　近年來，羅姆向工業(yè)市場(chǎng)不斷進(jìn)取，凝聚在消費(fèi)電子設(shè)備和汽車相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù)，致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開發(fā)，并通過高品質(zhì)、穩(wěn)定供應(yīng)的安心生產(chǎn)體制，持續(xù)不斷為工業(yè)設(shè)備發(fā)展做貢獻(xiàn)。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC 功率元器件

SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng)，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力。　　功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
關(guān)鍵字： X-FAB SiC

安森美半導(dǎo)體推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)創(chuàng)新發(fā)展

　　電動(dòng)汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動(dòng)力，用電機(jī)驅(qū)動(dòng)車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項(xiàng)要求的車輛由于對(duì)環(huán)境影響相對(duì)傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國(guó)家環(huán)保政策的激勵(lì)下，在大家對(duì)綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車正日益普及。中國(guó)是世界最大的汽車市場(chǎng)，中國(guó)新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報(bào)道，2016年中國(guó)電動(dòng)汽車占全世界電動(dòng)汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)
關(guān)鍵字：安森美 IGBT SiC