德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。
作為市場首款內置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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意法半導體 SiC
SiC功率半導體正進入多個應用領域
當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業(yè)都對SiC功率半導體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半導體
當前，全球半導體產業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
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GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統(tǒng)及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
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SiC PFC
英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優(yōu)化的
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英飛凌 SiC-MOSFET
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房
目前主流的通訊電源，其參數如下：
• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
• 輸出功率：2kw
• 輸出：最大電壓1
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世強 SiC
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
基于數十年的電源管理創(chuàng)新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
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