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SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計(jì)

  • SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計(jì), 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

  • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 　　目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 　　而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
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Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

  • 　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。 　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性
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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

  • 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能，設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  SiC  晶體管  

富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器  GaN  

羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

  • 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  變壓器  SiC  

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅（SiC）  

“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  放大器  GaN  

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  

超過20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： SIC  二極管  半導(dǎo)體  
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