igbt fs7 文章進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區(qū)

模擬信號(hào)的隔離方法有哪些

　　模擬信號(hào)的隔離是非常頭疼的，有時(shí)候不得不需要隔離。大部分基于以下需要：　　1.隔離干擾源;　　2.分隔高電壓。　　隔離數(shù)字信號(hào)的辦法很多，隔離模擬信號(hào)的辦法卻沒(méi)有想象的那么多，關(guān)鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測(cè)量的場(chǎng)合，模擬信號(hào)的隔離，成本高得更加是離譜的無(wú)法想象。我從事這種系統(tǒng)開(kāi)發(fā)多年，對(duì)自己所知道的隔離方法做個(gè)小小的總結(jié)：　　數(shù)字隔離方法：　　1. 光耦;　　2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數(shù)字代號(hào)，如 I2C的ADuM1250);　　3.自己用變壓器
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷(xiāo)Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷(xiāo)商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！　ouser分銷(xiāo)的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開(kāi)關(guān)性能，可降低電路復(fù)雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機(jī)變頻器的英飛凌驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，帶來(lái)很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其200 V驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速I(mǎi)GBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動(dòng)IC能為具有嚴(yán)格空間限制的電機(jī)變頻器應(yīng)用提供全面保護(hù)，比如電動(dòng)園藝設(shè)備、高爾夫球車(chē)、電動(dòng)工具及代步車(chē)等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動(dòng)以及半橋式驅(qū)動(dòng)，采用英飛凌成熟而強(qiáng)大的高壓結(jié)隔離(HVJI)工藝，以實(shí)現(xiàn)小型封裝，同時(shí)保持對(duì)負(fù)瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專(zhuān)為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應(yīng)用量身定制
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最簡(jiǎn)單易用的7管封裝IGBT模塊

　　IGBT的優(yōu)勢(shì)在于輸入阻抗很高，開(kāi)關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻Rg，過(guò)流過(guò)壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機(jī)電源，變頻器等領(lǐng)域。　　
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中國(guó)高鐵最核心電能芯片成功國(guó)產(chǎn)：世界最高難度

IGBT這技術(shù)國(guó)內(nèi)確實(shí)不夠，現(xiàn)在量產(chǎn)并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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IGBT開(kāi)關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

　　1. 概述　　HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(jī)(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機(jī)上成功投運(yùn)，目前運(yùn)行良好。　　2. IGBT自并激勵(lì)磁系統(tǒng)的組成及主回路原理　　2.1 勵(lì)磁系統(tǒng)組成及接線(xiàn)方式　　自并激勵(lì)磁系統(tǒng)也就
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開(kāi)關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率達(dá)到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)等類(lèi)似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性

　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車(chē)和高性能電力機(jī)車(chē)，以及未來(lái)的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動(dòng)裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強(qiáng)。因此，它可以延長(zhǎng)產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統(tǒng)維護(hù)工作量。　　通過(guò)推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆變器

　　隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢(shì)頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿(mǎn)足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過(guò)最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。　　要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽(yáng)能逆變器就需要控制、驅(qū)動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合。要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在這里展示了一個(gè)針對(duì)500W功率輸出進(jìn)行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計(jì)。在這個(gè)設(shè)計(jì)中，有一個(gè)DC/D
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英飛凌推出新款A(yù)dvantage系列 IGBT產(chǎn)品，為逆變焊機(jī)的持續(xù)發(fā)展注入動(dòng)力

　　近年來(lái)，中國(guó)的逆變焊機(jī)技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機(jī)本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶(hù)的認(rèn)可，并逐漸進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。作為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)力，重視中國(guó)本土客戶(hù)的需求，全新推出針對(duì)于逆變焊機(jī)應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性?xún)r(jià)比，其品質(zhì)和可靠性達(dá)到英飛凌一貫高標(biāo)準(zhǔn)。　　電焊機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如焊接機(jī)器人、機(jī)械制造、造船、石油化工、電力建設(shè)、建筑業(yè)等，隨著對(duì)焊機(jī)的利用率的提高，這
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SiC Mosfet管特性及其專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電源

　　摘要：本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。　　關(guān)鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅(qū)動(dòng)電路;驅(qū)動(dòng)電源模塊;QA01C 　　一、引言　　以Si為襯底的Mosfet管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，?qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，具有靠多數(shù)載流子工作導(dǎo)電特性，沒(méi)有少數(shù)載流子導(dǎo)電工作所需要的存儲(chǔ)時(shí)間，因而開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率
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一種智能型全自動(dòng)快速充電機(jī)的設(shè)計(jì)

　　1 充電機(jī)的現(xiàn)狀　　目前，礦用電機(jī)車(chē)蓄電池的充電，無(wú)論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個(gè)共同的問(wèn)題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時(shí)以上，進(jìn)行普通充電也需10小時(shí)以上，這種充電方式在充電過(guò)程的初期，充電電流遠(yuǎn)小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長(zhǎng)了充電時(shí)間，造成電能的浪費(fèi)。而在充電過(guò)程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內(nèi)部溫度升高，產(chǎn)生大量析氣，并形成內(nèi)部硫化結(jié)晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地?fù)p壞電池。這不僅造成了浪費(fèi)，也增加了
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IGBT產(chǎn)業(yè)基地有望掛上“國(guó)字號(hào)”牌子

　　今年省“兩會(huì)”期間，駐株省政協(xié)委員張國(guó)浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設(shè)IGBT項(xiàng)目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日，省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來(lái)株答復(fù)委員。　　正申報(bào)國(guó)家新型工業(yè)化示范基地　　駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點(diǎn)工業(yè)園”，省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長(zhǎng)彭濤答復(fù)時(shí)表示，由于相關(guān)政策規(guī)定，IGBT產(chǎn)業(yè)建設(shè)產(chǎn)業(yè)園，可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項(xiàng)目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。　　據(jù)悉，目前，
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Power Integrations推出可替代光耦器的1200 V雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)核

IGBT驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者PowerIntegrations宣布推出適用于90 kW至500 kW逆變器和變頻器的2SC0115T2A0-12雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)核。新型驅(qū)動(dòng)核采用SCALE?-2+集成電路以及適用于DC/DC電源和開(kāi)關(guān)信號(hào)傳輸?shù)母綦x式變壓器技術(shù)，并且無(wú)需采用光耦器，大大提高了系統(tǒng)的可靠性和性能。該驅(qū)動(dòng)核的增強(qiáng)電氣隔離專(zhuān)門(mén)針對(duì)工作電壓900V的系統(tǒng)，這種技術(shù)通常適用于1200V IGBT模塊，并且滿(mǎn)足IEC 60664-1和IEC 61800-5-1的PD2和OV II要求。2S
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