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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

  • 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
  • 關(guān)鍵字: IPM  MOSFET  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  模塊  

IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究

基于IGBT的電磁振蕩設(shè)計(jì)

  • IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開(kāi)關(guān)器件,電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)實(shí)電力電子裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  電磁振蕩    

倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)

  • 在工件淬火和焊接等工藝中,由于各種原因會(huì)造成電源負(fù)載端突然短路。為了減小負(fù)載短路時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流對(duì)功率管的沖擊,采用降柵壓慢關(guān)斷技術(shù),增強(qiáng)功率器件的瞬時(shí)過(guò)流能力,同時(shí)選擇合適的Cd和/LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小,從而更好地保護(hù)功率管和主電路。
  • 關(guān)鍵字: 負(fù)載  短路  保護(hù)  電源  加熱  高頻  感應(yīng)  IGBT  

單電源供電的IGBT驅(qū)動(dòng)電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

智能型電源模塊加速三相電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)發(fā)

  • 摘要: 目前隨著設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)進(jìn)程的加快,一些家電(高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器)要求用更先進(jìn)的設(shè)計(jì)方法來(lái)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。文中詳細(xì)地介紹了其中的智能型電源部分,以進(jìn)一步加速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā),從而減少產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本和時(shí)間。在文章的最后,給出了相關(guān)產(chǎn)品的演示板。 關(guān)鍵詞:智能型電源;電機(jī)驅(qū)動(dòng)器;高壓驅(qū)動(dòng)器;IGBT電器工程師需要一種設(shè)計(jì)方法,能夠簡(jiǎn)化高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器的三相變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā)過(guò)程。變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器采用電子線路來(lái)改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速,而不是舊式電器中所使用的較低可靠性機(jī)械變速法。而且,
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“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

  •   目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。   為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象,我們必須考慮跟
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2005年5月12日,瑞薩推出手機(jī)相機(jī)用業(yè)界最小的閃光控制IGBT

  •   2005年5月12日,瑞薩推出用于手機(jī)相機(jī)的CY25CAH-8F(2.5V驅(qū)動(dòng))和CY25CAJ-8F(4.0V驅(qū)動(dòng))的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米,厚度(最大)0.95毫米,堪稱業(yè)界最小。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  IGBT  Renesas  

一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用

  • 摘    要:本文主要介紹一個(gè)由RC和或門(mén)電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用,解決了原有芯片死區(qū)時(shí)間不確定的問(wèn)題。關(guān)鍵詞:延遲電路;IPM;死區(qū)時(shí)間 變頻控制死區(qū)時(shí)間簡(jiǎn)介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道,控制IPM工作的六路PWM信號(hào),在導(dǎo)通時(shí)序上,控制同一通道的上下兩路信號(hào)不能出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的情況,如圖1所示。也就是說(shuō)同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,如果同時(shí)導(dǎo)通,輕則引起IPM的工作保護(hù),造成停機(jī),重則將IPM模塊擊
  • 關(guān)鍵字: IPM  死區(qū)時(shí)間  延遲電路  

三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)

  • 摘    要:本文針對(duì)IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求,提出并分析了一種廉價(jià)的、適用于三電平逆變器的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路,并給出了設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的問(wèn)題。關(guān)鍵詞:三電平逆變器; IGBT; 驅(qū)動(dòng)保護(hù) 引言由于三電平電壓型逆變器對(duì)主元件的耐壓要求可降低一半,而且輸出波形好,因而一出現(xiàn)就顯示了巨大的優(yōu)越性。本設(shè)計(jì)方案中三電平電壓型逆變器由12個(gè)IGBT單元和鉗位二極管等組成中性點(diǎn)鉗位電路。有三個(gè)電平(+E、0和-E)輸出,在直流中間環(huán)節(jié)電容分壓對(duì)稱時(shí),就有27種不同的輸出狀態(tài)。由于主電
  • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動(dòng)保護(hù)  三電平逆變器  

IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板SCALE

  • SCALE驅(qū)動(dòng)是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板,可用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板的主要功能、工作模式和引腳功能,給出該器件的典型應(yīng)用電路。
  • 關(guān)鍵字: SCALE  驅(qū)動(dòng)  智能化  IGBT  

高壓IGBT模塊2SD315AI-33的應(yīng)用研究

  • 高壓IGBT模塊2SD315AI-33的應(yīng)用研究,介紹了一種新型高性能高壓IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315AI-33的管腳功能和工作原理,同時(shí)還給出了該模塊與同類(lèi)產(chǎn)品相比的顯著性能特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  研究  2SD315AI-33  模塊  IGBT  高壓  

IGBT-IPM智能模塊的電路設(shè)計(jì)及在SVG裝置中的應(yīng)用

新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B

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