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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

  • 摘要隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

  • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

  • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
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比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT

  • 2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹立了國內(nèi)車規(guī)級中高端IGBT芯片標(biāo)桿。歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術(shù)團(tuán)隊(duì)等資源。當(dāng)時長三角地區(qū)是中國半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時這些資
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為何智能功率模塊會盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

  • 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前，世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo)，這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長的待機(jī)時間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升，因此，近年來IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例，全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
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電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

  • 1? ?電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無處不在， 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機(jī)占全球總電力消耗的45％，因此電機(jī)驅(qū)動電子設(shè)備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動機(jī)器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動化。一種提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計(jì)

  • 電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設(shè)計(jì)了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護(hù)IPD Protect，XMC單片機(jī)和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓?fù)洳捎脝味瞬⒙?lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實(shí)現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護(hù)，過壓保護(hù)，過溫報(bào)警和保護(hù)，輸入電壓欠壓保護(hù)和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護(hù)點(diǎn)可以根據(jù)系統(tǒng)要求來調(diào)節(jié)。同時，
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電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案

  • 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預(yù)測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
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科索為中型機(jī)器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

  • 科索有限責(zé)任公司近日宣布擴(kuò)大其為中型機(jī)器人和工廠自動化設(shè)計(jì)的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機(jī)器人控制器和工廠自動化定制?；谝粋€獨(dú)特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強(qiáng)隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計(jì)過程，同時降低了成本。RBC3
  • 關(guān)鍵字： OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  對流冷卻設(shè)計(jì)  

推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

  • 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)， 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
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GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

一種電動汽車能量回饋下IGBT保護(hù)策略優(yōu)化及驗(yàn)證

  • 　　舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002）　　摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護(hù)策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制保護(hù)IGBT模塊。本文通過臺架實(shí)驗(yàn)對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實(shí)車驗(yàn)證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險?！　￡P(guān)鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車
  • 關(guān)鍵字： 202007  電動汽車  能量回饋  IGBT  

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關(guān)鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率

  • 本文將強(qiáng)調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
  • 關(guān)鍵字： MOSEFT  FWD  ST  IGBT  
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