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【E課堂】濾波器選擇需注意的十個問題
- 近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器,發(fā)現(xiàn)了不少有意思的問題,才發(fā)現(xiàn)波平浪靜處水最險。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時需要注意的問題。 1、如果未經(jīng)過對儀器的EMI、EMS指標(biāo)測試就選定了濾波器,基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒; 2、如果機器上選擇的是一個市面上買來的通用濾波器,這個濾波器基本上是可以不加的; 3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜?! ∠麓私Y(jié)論的原因是因為最近遇到的好幾起事情,都加了濾波器,但傳導(dǎo)就是不過,最后還是根據(jù)測試結(jié)果給設(shè)計了個濾波器樣品,一裝上ok才算
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EMI濾波器設(shè)計中干擾特性和阻抗特性
- 根據(jù)多年的工程經(jīng)驗,大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個項目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求,通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計一個能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目,只有憑借經(jīng)驗作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗使用一個濾波器,如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計或者換另一個新的濾波器。因此,要找到一個合適的EMI濾波器就成為一個費時且高成本的任務(wù)。 電子系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性 解決問題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成:1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分
- 在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時,SEPIC 是一種非常有用的拓撲。在要求短路電路保護時,我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流,從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓撲(如圖 1 所示)可使用兩個單獨的電感(或者由于電感的電壓波形類似),因此還可以使用一個耦合電感,如圖所示。因其體積和成本均小于兩個單獨的電感,耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對全部可能的應(yīng)用進行優(yōu)化。
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電容感測:你應(yīng)該選擇哪個架構(gòu)?
- 電容感測在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測和手勢識別,到液面感測。無論是哪種應(yīng)用,電容感測的決定性因素都是根據(jù)一個特定的基準(zhǔn)來感測傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同,你也許需要不同的方法來測量這個變化。在這篇博文章,我將介紹2個特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測的電路。 開關(guān)電容器電路 圖1顯示的是針對電容感測的經(jīng)簡化電路,它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運行。在采樣之間,傳感器電感器上的電荷的變化會導(dǎo)致輸出電壓的變化
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PowerLab 筆記:如何避免傳導(dǎo) EMI 問題
- 這里,我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況。 1.只需幾fF的雜散電容就會導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講,開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時,會有少量電流直接泵送至電源線?! ?.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過,兩個導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比,與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個節(jié)點,并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點。想想電路布局中該節(jié)點的表面積是多少,
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手把手硬件電路詳細設(shè)計過程
- 獻給那些剛開始或即將開始設(shè)計硬件電路的人。時光飛逝,離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候,與你一樣,俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗、知識讓人目不暇接。像信號完整性,EMI,PS設(shè)計準(zhǔn)會把你搞暈。別急,一切要慢慢來。 1)總體思路。設(shè)計硬件電路,大的框架和架構(gòu)要搞清楚,但要做到這一點還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好,自己只是把思路具體實現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計框架的,那就要搞清楚要實現(xiàn)什么功能,然后找找有否能實現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時,我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講,談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字: GaN EMI
8種經(jīng)典汽車行駛行駛記錄儀方案設(shè)計,軟硬件協(xié)同
- 汽車行駛記錄儀,俗稱汽車黑匣子,是對車輛行駛速度、時間、里程以及有關(guān)車輛行駛的其他狀態(tài)信息進行記錄、存儲并可通過接口實現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出的數(shù)字式電子記錄裝置。開車時邊走邊錄像,同時把時間、速度、所在位置都記錄在錄像里,相當(dāng)“黑匣子”。 基于MCU的無線行駛記錄儀硬軟件設(shè)計 本文在實現(xiàn)無線行駛記錄儀無線通信方案時,選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)記錄儀的無線通信。無線行駛記錄記錄儀可用于所有類型車輛,特別適用于企事業(yè)單位,如:擁有大型車隊的物流公司、場站、機場、
- 關(guān)鍵字: SP2338 EMI
如何解決多層PCB設(shè)計時的EMI
- 解決EMI問題的辦法很多,現(xiàn)代的EMI抑制方法包括:利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計等。本文從最基本的PCB布板出發(fā),討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計技巧。 電源匯流排 在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容,可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而,問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性,這使得電容無法 在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外,電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降,這些瞬態(tài)
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low emi介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對low emi的理解,并與今后在此搜索low emi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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