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EEPW首頁 >> 主題列表 >> low emi

合理選擇電容器來實現(xiàn)高性能的EMI濾波

  • 　　本文將重點討論多層陶瓷電容器，包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計算這些簡單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進型規(guī)格的測試，如引線電感和低頻電感，另外，還給出了等效電路模型。這些模型都是根據(jù)測得的數(shù)據(jù)導(dǎo)出的，還介紹了相關(guān)的測試技術(shù)。針對不同的制造工藝，測試了這些寄生參數(shù)，并繪制出了相應(yīng)的阻抗曲線。 　　長期以來，一直使用旁路和去耦電容來減小PCB上產(chǎn)生的各種噪聲，也。由于成本相對較低，使用容易，還有一系列的量值可選用，電容器常常是電路板上用來減小電磁干擾(EMI)的主要器件。
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開關(guān)電源外圍應(yīng)用電路設(shè)計

  • 　　隨著各行各業(yè)不斷涌現(xiàn)出新的企業(yè)，市場的競爭越來越大，如何在保證產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，減少產(chǎn)品成本，已經(jīng)成為每個企業(yè)的新課題。下面就根據(jù)電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境，來對如何設(shè)計一個恰到好處的開關(guān)電源外圍電路作簡單介紹?！　≡趪H標準IEC61000中對電子類產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用環(huán)境分成了三類： 1類是居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境; 2類是工業(yè)環(huán)境;3類是測量、控制和實驗室用的電設(shè)備。使用較少，這里不做贅述?！　∮糜?類的電子產(chǎn)品對電磁抗擾度的要求就相對較低，對傳導(dǎo)輻射要求比較高;而2類產(chǎn)品卻恰好相反，對電磁抗擾
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物聯(lián)網(wǎng)電子產(chǎn)品設(shè)計中的低成本EMI/EMC預(yù)一致性測試

ESD/EMI/EMC電路設(shè)計技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法

  • 　　電磁兼容是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時不會對此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生強烈電磁干擾?！睂τ跓o線收發(fā)設(shè)備來說，采用非連續(xù)頻譜可部分實現(xiàn) EMC 性能，但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設(shè)備之間、打印機和臺式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾(EMI)?！　?、EMC 問題來源　　所有電器和電子設(shè)備工作時都會有間歇或連續(xù)性電壓電流變化
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出色模擬工程師必備系列(一)：電磁干擾(EMI)

  • 　　以上我們介紹了電磁干擾的一些分類，下面我們介紹如何來抑制電磁干擾 　　電磁干擾的定義，是指由外部噪聲和無用電磁波在接收中所造成的騷擾。一個系統(tǒng)或系統(tǒng)內(nèi)某一線路受電磁干擾程度可以表示為如下關(guān)系式： 　　N=G×C/I 　　G：噪聲源強度; 　　C：噪聲通過某種途徑傳到受干擾處的耦合因素; 　　I：受干擾電路的敏感程度。 　　G、C、I這三者構(gòu)成電磁干擾三要素。電磁干擾抑制技術(shù)就是圍繞這三要素所采取的各種措施，歸納起來就是三條：一、抑制電磁干擾源;二、切斷電磁干擾耦合途徑;三、降低
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【E課堂】濾波器選擇需注意的十個問題

  • 　　近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器，發(fā)現(xiàn)了不少有意思的問題，才發(fā)現(xiàn)波平浪靜處水最險。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時需要注意的問題?！　?、如果未經(jīng)過對儀器的EMI、EMS指標測試就選定了濾波器，基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒;　　2、如果機器上選擇的是一個市面上買來的通用濾波器，這個濾波器基本上是可以不加的;　　3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜。　　下此結(jié)論的原因是因為最近遇到的好幾起事情，都加了濾波器，但傳導(dǎo)就是不過，最后還是根據(jù)測試結(jié)果給設(shè)計了個濾波器樣品，一裝上ok才算
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EMI濾波器設(shè)計中干擾特性和阻抗特性

  • 　　根據(jù)多年的工程經(jīng)驗，大家普遍認為電磁兼容性標準中最重要的也是最難解決的兩個項目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計一個能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，只有憑借經(jīng)驗作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗使用一個濾波器，如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計或者換另一個新的濾波器。因此，要找到一個合適的EMI濾波器就成為一個費時且高成本的任務(wù)。　　電子系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性　　解決問題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開關(guān)管MOSFET的功耗分析　　    　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
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尋找EMC對策，關(guān)鍵在于實際產(chǎn)品與理論相結(jié)合

  • 　　現(xiàn)在，受到EMC(電磁兼容性)問題困擾的技術(shù)人員越來越多。這是因為隨著產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展，EMC對策的難度也與日俱增。車載電子產(chǎn)品稱得上是一個典型的代表。對此，日本Qualtec可靠性測試中心所長前野剛指出：“只要掌握了訣竅，就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對策當前的課題和對策的重點，前野所長接受了記者采訪。 　　——聽說以車載電子產(chǎn)品為代表，對于最近的電子產(chǎn)品，很多電路設(shè)計人員都在為EMC對策犯愁。首先請您用外行也能理解的語言，
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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分

  • 　　在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時，SEPIC 是一種非常有用的拓撲。在要求短路電路保護時，我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓撲(如圖 1 所示)可使用兩個單獨的電感(或者由于電感的電壓波形類似)，因此還可以使用一個耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個單獨的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點是標準電感并非總是針對全部可能的應(yīng)用進行優(yōu)化。 　　  
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電容感測：你應(yīng)該選擇哪個架構(gòu)？

  • 　　電容感測在很多應(yīng)用中大展拳腳，從接近度檢測和手勢識別，到液面感測。無論是哪種應(yīng)用，電容感測的決定性因素都是根據(jù)一個特定的基準來感測傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同，你也許需要不同的方法來測量這個變化。在這篇博文章，我將介紹2個特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當前一種用于電容感測的電路?！　￠_關(guān)電容器電路　　圖1顯示的是針對電容感測的經(jīng)簡化電路，它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運行。在采樣之間，傳感器電感器上的電荷的變化會導(dǎo)致輸出電壓的變化
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PowerLab 筆記：如何避免傳導(dǎo) EMI 問題

  • 　　這里，我們先著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況?！　?.只需幾fF的雜散電容就會導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講，開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時，會有少量電流直接泵送至電源線。　　2.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過，兩個導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個節(jié)點，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點。想想電路布局中該節(jié)點的表面積是多少，
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手把手硬件電路詳細設(shè)計過程

  • 　　獻給那些剛開始或即將開始設(shè)計硬件電路的人。時光飛逝，離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候，與你一樣，俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗、知識讓人目不暇接。像信號完整性，EMI，PS設(shè)計準會把你搞暈。別急，一切要慢慢來。 　　1)總體思路。設(shè)計硬件電路，大的框架和架構(gòu)要搞清楚，但要做到這一點還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好，自己只是把思路具體實現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計框架的，那就要搞清楚要實現(xiàn)什么功能，然后找找有否能實現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 　　關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3 　　一、引言 　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
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高速PCB設(shè)計EMI之九大規(guī)則

  • 　　隨著信號上升沿時間的減小及信號頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則： 　　規(guī)則一：高速信號走線屏蔽規(guī)則 　　   　　在高速的PCB設(shè)計中，時鐘等關(guān)鍵的高速信號線，走線需要進行屏蔽處理，如果沒有屏蔽或只屏蔽了部分，都會造成EMI的泄漏。建議屏蔽線，每1000mil，打孔接地。 　　規(guī)則二：高速信號的走線閉環(huán)規(guī)則 　　   　　由于PCB板的密度越來越高，很多PCB LAY
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low emi介紹

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