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第四季DRAM銷(xiāo)售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求,造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外,有部分供應(yīng)鏈透露,2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè)觀,價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此,在需求太強(qiáng)勁的情況下,此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái),每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià),報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng),堪稱(chēng) DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。 事實(shí)上,當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR4
第四季DRAM銷(xiāo)售額預(yù)估年增65%,再寫(xiě)史上新高
- 今年內(nèi)存供給吃緊,推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng),研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷(xiāo)售金額將創(chuàng)歷史新高。 據(jù)IC Insights估計(jì),第四季DRAM銷(xiāo)售金額將來(lái)到211億美元,較去年同期跳增65%,且是有史以來(lái)最佳記錄。 全年來(lái)看,DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%,較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn),也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來(lái)最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。 許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭,當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
- 關(guān)鍵字: DRAM
南亞科:明年DRAM市場(chǎng)穩(wěn)健,Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng),南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊,DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)走勢(shì)穩(wěn)健;展望2018,預(yù)期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康,市場(chǎng)將持續(xù)維持穩(wěn)健。 隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、高速運(yùn)算等應(yīng)用,促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展,DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件,帶動(dòng)今年內(nèi)存市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)逾50%。 展望2018年,南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能,DRAM位年成長(zhǎng)率在20%~25%,預(yù)估2018年需求將較2017
- 關(guān)鍵字: 南亞科 DRAM
研調(diào):預(yù)計(jì)2017年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)74%至720億美元
- 縱觀2017年,隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)DRAM需求不斷提升,DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求,平均售價(jià)也在持續(xù)上漲。如圖1所示,IC Insights預(yù)計(jì)2017年第四季度DRAM銷(xiāo)售額將增至211億美元的歷史最好成績(jī),與2016年第四季度的128億美元相比增長(zhǎng)65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營(yíng)收 IC Insights預(yù)計(jì)2017年全年DRAM的銷(xiāo)售額將達(dá)720億美元,年增長(zhǎng)率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長(zhǎng)率為78%)以來(lái)的歷史最好
- 關(guān)鍵字: DRAM
2021年全球IC市場(chǎng)規(guī)模4345億美元 汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長(zhǎng)最快
- 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報(bào)告預(yù)估,全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模將由2016年的2,977億美元,成長(zhǎng)為2021年的4,345億美元。合計(jì)2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為7.9%。 在12類(lèi)IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中,僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場(chǎng)規(guī)模會(huì)出現(xiàn)下滑,其余如汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模都會(huì)呈現(xiàn)成長(zhǎng)。其中以車(chē)用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)最快,成長(zhǎng)幅度較整體IC高出70%。 預(yù)估2017年全球車(chē)用IC市場(chǎng)規(guī)模,將繼2016年成長(zhǎng)11%(達(dá)2
- 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為,有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
- 關(guān)鍵字: DRAM
馮丹:憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前,一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題,論道存儲(chǔ)未來(lái),讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值,業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀,干貨滿滿。下午第三分論壇,中國(guó)計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專(zhuān)委會(huì)主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓,就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示,當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì),而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
- 關(guān)鍵字: RRAM DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為,有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開(kāi)了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過(guò)于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見(jiàn)此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開(kāi)了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過(guò)于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見(jiàn)此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
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Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%
- 存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)! 存儲(chǔ)器的需求來(lái)自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長(zhǎng)三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
紫光國(guó)芯:DRAM未來(lái)會(huì)考慮與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作
- 紫光國(guó)芯日前在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長(zhǎng)很快,為什么西安紫光國(guó)芯的毛利率如此低?”的提問(wèn),紫光國(guó)芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問(wèn)答時(shí)表示,西安紫光國(guó)芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒(méi)有制造環(huán)節(jié),但市場(chǎng)上DRAM的代工廠很少,特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)能不好保證
- 關(guān)鍵字: 紫光國(guó)芯 DRAM
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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