首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

DRAM領(lǐng)域亂象，全都怪Vista

  • 這個時候想起了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)？
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

內(nèi)存的戰(zhàn)爭：中日韓三國的產(chǎn)業(yè)恩怨，還沒有到終章

  • DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機(jī)之前的五家，然而存儲器價格隨著供給/需求的變化而進(jìn)行短周期波動，但行業(yè)將長期維持暴利狀態(tài)，這個時候新玩家來了。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22％

  • 　　據(jù)IC Insights預(yù)測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。 　　此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。 　　2017年，IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%，預(yù)計今年將推動DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

2018年三大DRAM廠擴(kuò)產(chǎn)有限，整體價格漲勢依舊

  • 　　近期，DRAM 價格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消，陸續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價格，消費者也抱怨連連。這波漲勢何時停止，目前看來短期幾乎不可能，只能期望價格不要一次漲太多就已萬幸了。 　　集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告指出，進(jìn)入第 4 季后，三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守，意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)張已不可能，甚至制程技術(shù)前進(jìn)的腳步也會緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標(biāo)，就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤，價格至少維持 2017
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  

淺談存儲器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢

  • 淺談存儲器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢-對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計最突出的主題。SoC設(shè)計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術(shù)，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設(shè)計人員必須清楚的理解存儲器數(shù)據(jù)流模式，以及芯片設(shè)計人員建立的端口。即使是存儲器供應(yīng)商也面臨DDR的退出，要理解系統(tǒng)行為，以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  SOC  DRAM  

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

  • DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲就陷入了茫然。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  存儲器  

觀存儲器產(chǎn)業(yè)：DRAM報價仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長

  • 　　去年我們曾經(jīng)對存儲器產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析，認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)在2016～2017年是恢復(fù)秩序且有機(jī)會成長的產(chǎn)業(yè)，時至今日，雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場寡占，主要大廠對于新產(chǎn)能擴(kuò)充仍相當(dāng)自律，加上電子化產(chǎn)品對于存儲器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。 　　尤其到了第3季旺季，存儲器需求更是熱絡(luò)，報價持續(xù)走揚，預(yù)期2017年對于存儲器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年，受惠智能手機(jī)存儲器容量升級，服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求，2018年存儲器需求亦可望持續(xù)成長。 　　從需求部分來看，
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

Gartner：2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計大漲19.7％

  • 　　研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望達(dá)4111億美元，將較去年成長19.7%，是7年來成長最強(qiáng)勁的一年。 　　Gartner指出，存儲器供不應(yīng)求，尤其是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)，是驅(qū)動今年整體半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值成長的主要動力。隨著存儲器成本增加，材料清單成本高于電子設(shè)備部分，Gartner表示，已有代工廠調(diào)高價格因應(yīng)。 　　展望未來，Gartner預(yù)期，明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步攀高至4274億美元，將較今年再成長4%;只是隨著供應(yīng)商增產(chǎn)，存儲器市場恐將反轉(zhuǎn)，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

LPDDR價格飆漲 2018年8GRAM依然供不應(yīng)求

  • 　　據(jù)外媒報道，DRAMeXchange的最新報告指出，用于移動設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%～15%。 　　此前，LPDDR的價格是低于PC、服務(wù)器等平臺的，但這些年需求越來越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機(jī)和尚未發(fā)布的千元機(jī)會在其售價上做出調(diào)整的可能。而旗艦機(jī)方面，因為本身緩沖空間較大，暫時不會受到?jīng)_擊。 　　因為DRAM在整個2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預(yù)計安卓內(nèi)存的軍備競賽會暫時停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
  • 關(guān)鍵字： LPDDR  DRAM  

DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？

  • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  RAM  

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

  • DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡單介紹。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點事

  • 次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
  • 關(guān)鍵字： dram  fram  

DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization

  • DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Memory  Cells  

手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM

  • 　　某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。　　DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非?？?。針對一些特殊應(yīng)用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖?！　RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應(yīng)板卡的說明中都會標(biāo)明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！　ttp://sine.ni.com/n
  • 關(guān)鍵字： FPGA  DRAM  
共1831條 22/123 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 » ›|

lpddr5x dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473