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一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個(gè)技術(shù)都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時(shí)不會被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
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高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 　　巴倫周刊8日報(bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過去四個(gè)季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。 　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長動能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
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后PC時(shí)代 移動型DRAM成市場主力

  • 　　三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動存儲器報(bào)價(jià)上漲。 　　從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
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三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
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新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長動能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預(yù)期，由于市場需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機(jī)會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲系統(tǒng)
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力晶：大陸DRAM做不起來　5G時(shí)代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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力晶：大陸DRAM做不起來　5G時(shí)代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒 etnews 18 日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從 20 納米制程(28→25&rar
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韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒etnews 18日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
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中國存儲業(yè)的“春天”來了？

  • 目前說中國存儲器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來可能還為時(shí)尚早，確切地說，應(yīng)該是中國的半導(dǎo)體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。
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DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

  • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價(jià)格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑

  • 　　IC Insights 對DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。 　　IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來快速走高，據(jù)統(tǒng)計(jì)，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達(dá)至 54%。 　　在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達(dá) 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達(dá) 39%。 　　IC Insight
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