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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的?！ ?nbsp;
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內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇
- 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。 三星決定斥資87億美元，擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。 對(duì)于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
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楊士寧：為何長江存儲(chǔ)決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域？
- 長江存儲(chǔ)執(zhí)行長楊士寧點(diǎn)出，為何長江決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?他表示，半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運(yùn)算CPU、存儲(chǔ)、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢(shì)，大舉跨入存儲(chǔ)這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準(zhǔn)點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當(dāng)下大力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析，從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲(chǔ)存的總產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的95%
- 關(guān)鍵字： 長江存儲(chǔ) DRAM
打造臺(tái)灣DRAM中心 美光27億買下達(dá)鴻廠房
- 美光昨(14)日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來將用于DRAM先進(jìn)封測技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合，打造中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。 達(dá)鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設(shè)備昨由臺(tái)中法院委外法拍，最后由美光以新臺(tái)幣27.52億元得標(biāo)，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達(dá)鴻于2015年11月5日向臺(tái)中地方法院聲請(qǐng)重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺(tái)中法院隨即進(jìn)行強(qiáng)制拍賣廠房及設(shè)備的流程作業(yè)。 達(dá)鴻為F-
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
2017年整體DRAM市場供貨吃緊 第一季價(jià)格漲10~15％
- 臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價(jià)持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)期第一季平均銷售單價(jià)季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價(jià)格也將續(xù)揚(yáng)，下半年仍看審慎樂觀，預(yù)期價(jià)格波動(dòng)不大。 南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴(kuò)張新產(chǎn)能。 預(yù)期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預(yù)期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，預(yù)估整體年增率高于22%。 因此，今年DRAM市場
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM漲價(jià)成為投資動(dòng)力 美光聯(lián)手華亞科求自保
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺(tái)灣分公司桃園廠,美光也計(jì)劃擴(kuò)大投資臺(tái)灣,將在臺(tái)中建立后段DRAM封測廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動(dòng)。 美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)在桃園和臺(tái)中,合并后員工超過6,000人。 位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬片;臺(tái)中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬片,但已進(jìn)行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。 美光將以臺(tái)灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),除制造端外,也計(jì)劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計(jì)進(jìn)行整合
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
DRAM市場已邁入多元化發(fā)展
- 回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的歷史，市場經(jīng)常在供過于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。 當(dāng)市場供不應(yīng)求之際，DRAM供應(yīng)商會(huì)積極擴(kuò)廠，大幅增加產(chǎn)能，當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后，市場會(huì)陷入供過于求的狀況，DRAM價(jià)格快速下跌，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。 在歷經(jīng)多次市場的振蕩后，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時(shí)的歷史新高，高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場大崩盤，DRAM的平均售價(jià)大幅下跌，導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
數(shù)項(xiàng)投資啟動(dòng) 我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破
- 2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始，我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項(xiàng)重要消息，表明我國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進(jìn)當(dāng)中。而隨著數(shù)項(xiàng)重大投資的啟動(dòng)，存儲(chǔ)器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。 國際存儲(chǔ)巨頭警惕中國存儲(chǔ)力量成長 盡管存儲(chǔ)器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日，紫光集團(tuán)在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要產(chǎn)品為3DNA
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
2017年DRAM出貨成長率或?qū)⒌陀?0%
- 一般估計(jì)，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因?yàn)榇髲S沒有新的投資計(jì)劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認(rèn)為，DRAM將有個(gè)不算短的好光景。 三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對(duì)于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Mi
- 關(guān)鍵字： DRAM
新型存儲(chǔ)器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場
- 存儲(chǔ)器主導(dǎo)著許多SoC，我們很少聽說某個(gè)設(shè)計(jì)包含太多的存儲(chǔ)器。然而，存儲(chǔ)器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗，雖然這對(duì)于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題，但是對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言，總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求都在變化。雖然新的存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時(shí)間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。 過去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)的主力，F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在？
- 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實(shí)現(xiàn)一定程度的進(jìn)口替代，如果進(jìn)一步出臺(tái)政策支持存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)與銷售，在國內(nèi)的DRAM市場分到一杯羹。
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 DRAM
臺(tái)媒：大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計(jì)劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出，現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
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