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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證,目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù),并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名,我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日,Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱,該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身,有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出,DRAM整體市場較為穩(wěn)定,未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮,新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領(lǐng)域。然而當前
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TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
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TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
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南亞科未來兩年投資500億元 提升價值凌駕市占率
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示,南亞科計劃兩年投資500億元,這不是小數(shù)目的投資,其目的在于提升芯片價值,而非拉升全球市占率,未來新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意,且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 再者,南亞科召開重大訊息指出,為導入20納米制程技術(shù),從2016年2月至9月29日為止,向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設備,總價款約3.43億元。整體來看,南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程,預計花430億~450億元進行相關(guān)設備擴
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DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高
- DRAM現(xiàn)貨價漲不停,主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元,攀上七個多月來高點,本季來大漲逾24%,第4季報價持續(xù)看漲一成,南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。 業(yè)界透露,在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下,DRAM漲勢延續(xù),9月以來已連續(xù)三周上漲,漲勢明確,伴隨追價買盤進場,漲勢加大。 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價,DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元,單日漲幅1.6%,合計本周以來二個交易日
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三星主導調(diào)漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令
- 三星主導調(diào)漲DRAM報價策略奏效,全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚,主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關(guān),也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等,可望重掌多頭反攻號令。 存儲器渠道商表示,三星和SK海力士近期主導價格漲勢態(tài)度積極,除8月調(diào)漲DRAM報價,第4季合約價也再漲一成,連同第3季合約價調(diào)漲15%,等于下半年漲幅約25%。 2大韓系DRAM大廠的市占逾八成,主導DRAM漲價策略奏效
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制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。 據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
- 關(guān)鍵字: DRAM 美光
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。 據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
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