三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業(yè)盈余數據上。
三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預算、但預估將略高于2015年水準。
三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預計將依照市場供需變化彈性調整、目前初估將低于去年水準。
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三星 DRAM
市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預測報告發(fā)布更新,在該報告統(tǒng)計的33項主要IC產品類別中,有14項產品類別在今年的成長率將超過2%,尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長幅度居冠。
ICInsights的《2016McCleanReport》預測33項主要IC產品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產品類別,分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預測,今年將有14項產品類別的成長幅度超過2%—
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IC DRAM
公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議,核準美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權,向該會申報事業(yè)結合乙案,依公平交易法第13條第1項規(guī)定,不禁止其結合。
公平會表示,本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結合型態(tài),又美商美光于相關市場之市占率達25%,符合公平法第11條第1項第2款規(guī)定之申報門檻,且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形,故依法提出結合申報。
公平會表示,華亞科系屬美光DRAM的代工廠,其所生產之DRAM全數售予美光,故華亞科
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DRAM 美光
三星量產18nm DRAM,生產成本的競爭優(yōu)勢拉大,就算DRAM價格繼續(xù) 下滑,其他業(yè)者陷入虧損,三星仍能維持獲利,這招比較狠。
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三星 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一,為半導體產業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀錄,也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中,唯一還能獲利的業(yè)者。
據韓媒Money Today報導,市調機構IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻
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三星 DRAM
韓國三星電子2016年4月5日宣布,開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。
此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1
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三星 DRAM
目前,全球DRAM(Dynamic Random Access Memory,也稱動態(tài)隨機存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指,韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進一步沖高至接近75%,這已經是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高,那么第三位的美光前途在何方呢?
三星已在技術方面遙遙領先
據DRAMeXchange的報告,受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響,三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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DRAM 美光
三星電子周五公布2015業(yè)務成果報告,結果一則以喜,一則以憂,雖然其半導體事業(yè)蒸蒸日上,但另一個營收主力,也就是手機部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實,三星去年以獲利為最高指導原則,營運的重心主要放在半導體上,有如此結果也不令人意外。
據 三星統(tǒng)計,在全球DRAM市場上,三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額,市占率較一年前的39.6%又進步了5.7個百分點。三星指出盡管手機、平板 等行動產品減緩,但預期服務器與其它高階產品市場將持續(xù)成長。除此之外,三星也相當看好物聯(lián)網與汽車對存儲器的需求展望。
在
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三星 DRAM
受來自PC部門需求疲弱,及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響,美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元,較前季33.5億美元衰退12.4%,亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%,這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來,單季營收連續(xù)5季衰退。
在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數百分點幅度,加上營業(yè)費用控制成效不佳,營業(yè)
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美光 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代,三星電子未來在DRAM市場上,勢必將更具價格競爭力。
根據韓媒ETnews報導,存儲器半導體的價格越來越低,越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話,才有利潤能剩下,若降低成本的速度太慢,就會產生赤字。以目前看來,2016年美光最需擔憂的就是赤字問題,因為美光沒能成功地轉換微
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三星 DRAM
不論是NAND閃存還是DRAM內存領域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術、產能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內存、閃存降價,跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%,當季凈虧損9700萬美元,對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報,當季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元,遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報,每股凈損0.09美元,單季由盈轉虧,并預估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認為,美光連二季虧損,與該公司關系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。
受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響,美光第2季營收為29.34億美元,季減12.4%,年減29.5%,影響其毛利率表現(xiàn),僅19.7%,遠不如前一季的25.3%,單季稅后凈損9,700萬美元,每股凈損0.09美元。
美光預期,本季恐持續(xù)虧損,估每股凈損0.05至0.12美元,
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美光 DRAM
全球DRAM內存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中,在這其中三星是第一梯隊的,不論工藝還是產能、占有率都遙遙領先其他兩家,SKHynix第二,美光的工藝和產能最次。2014年率先量產20nm工藝的DRAM內存之后,三星如今再一次領跑,現(xiàn)在正式量產了18nm工藝內存芯片。只不過內存市場今年普遍看淡,隨著廠商產能的提高,內存價格降幅甚至高達40%。
跟處理器芯片一樣,制程工藝越先進,每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了,CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工,建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地,而且直接切入3D NAND閃存領域,起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司,一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞,美日韓已經在考慮中國公司的威脅了。早在去年,紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司,但被拒絕了,而且為了讓外界放心,美光公司還表示三年內不會在大陸建立晶圓廠。
中國在半導體領域的大手筆投資或者收購已經引起了業(yè)界震動,在收購美光不成功之后,大陸公司把目標轉向
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三星 美光 DRAM
前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設IC設計公司Sino King Technology,指出目前半導體業(yè)界有四種公司:一,有高度研發(fā)生產能力的公司,如英特爾(Intel);二,有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三,強調研發(fā)生產周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四,有先進生產技術的如臺積電。
而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司,以研發(fā)高度客制化存儲器為重,不
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爾必達 DRAM
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