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Kilopass 在中國(guó)推最新VLT技術(shù)，助力國(guó)內(nèi)DRAM 產(chǎn)業(yè)崛起

　　這幾年國(guó)產(chǎn)芯片替代概念推動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外，存儲(chǔ)器的發(fā)展也得包括政府、市場(chǎng)資本、行業(yè)巨頭廠商的高度關(guān)注。不過(guò)，受制于技術(shù)等原因，全球90%的DRAM市場(chǎng)份被三星、海力士和美光三家廠商占據(jù)。現(xiàn)有DRAM的最關(guān)鍵技術(shù)是電容存儲(chǔ)單元，它不僅帶來(lái)了特有的制造挑戰(zhàn)，還被大量專利所保護(hù)。　　國(guó)內(nèi)廠商想要有所突破，除了加大投入和研發(fā)外，一定程度也需要外力支持。近日，半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass 首席執(zhí)行官Charlie Che
關(guān)鍵字： Kilopass VLT

　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定，未來(lái)隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前
關(guān)鍵字： VLT DRAM

　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)。該技術(shù)顯著降低了存儲(chǔ)芯片的成本且與DDR SDRAM完全兼容，使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造且無(wú)需昂貴的電容結(jié)構(gòu)。　　由于當(dāng)前基于1個(gè)晶體管+1個(gè)電容器(1T1C)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的DRAM解決方案不夠合理，電容器無(wú)法進(jìn)一步縮小，尺寸太大，在20nm工藝上，電容量太低，DRAM技術(shù)自2010年以來(lái)已放緩
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