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用HVArc Guard MLCC防止電容器電弧放電

  • 隨著Vishay在高壓多層陶瓷電容器(MLCC)技術(shù)上的一系列突破,Vishsy制造出了一種新的表面貼裝MLCC,比以往任何類型的電容器都更適合鎮(zhèn)流器應(yīng)用。這些新的HVArc Guard電容器采用NP0和X7R電介質(zhì),電壓等級從直流250V到
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平衡式MLCC的解決方案介紹

  • 1個X2Y電容是一種平衡的MLCC解決方案,其內(nèi)部有三條不同的電信號通道,有四個外部連接端口(圖5)。
    G1和G2端口內(nèi)部連接到器件內(nèi)一個共用參考(屏蔽)電極,并且AB板由此參考電極隔離。根據(jù)靜電學(xué)理論,三個電節(jié)點
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平衡式MLCC解決方案設(shè)計

  • 1個X2Y電容是一種平衡的MLCC解決方案,其內(nèi)部有三條不同的電信號通道,有四個外部連接端口(圖5)。
    G1和G2端口內(nèi)部連接到器件內(nèi)一個共用參考(屏蔽)電極,并且AB板由此參考電極隔離。根據(jù)靜電學(xué)理論,三個電節(jié)點
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MLCC選型:僅僅滿足參數(shù)還遠遠不夠

  • 購買商品的一般決策邏輯是:能不能用,好不好用,耐不耐用,價格。其實這個邏輯也可以套用到MLCC的選型過程中:首先MLCC參數(shù)要滿足電路要求,其次就是參數(shù)與介質(zhì)是否能讓系統(tǒng)工作在最佳狀態(tài);再次,來料MLCC是否存在
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平衡式MLCC的解決方案簡述

  • 1個X2Y電容是一種平衡的MLCC解決方案,其內(nèi)部有三條不同的電信號通道,有四個外部連接端口(圖5)。
    G1和G2端口內(nèi)部連接到器件內(nèi)一個共用參考(屏蔽)電極,并且AB板由此參考電極隔離。根據(jù)靜電學(xué)理論,三個電節(jié)點
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Vishay提高其MLCC的最低容值

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard表面貼裝X7R多層陶瓷片式電容器(MLCC)的最低容值。對于更低的容值,公司會提供C0G(NP0)電介質(zhì),電壓范圍1000V~2500V,及采用0805~2225的5種外形尺寸。
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Vishay發(fā)布具有集成電阻的新款表面貼裝MLCC

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對于高脈沖電流應(yīng)用,VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性,可承受1000VDC~1500VDC的高電壓,容量為33nF~560nF。
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Vishay推出用于醫(yī)療磁力共振設(shè)備的無磁性MLCC

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)設(shè)備的新系列無磁性表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ系列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質(zhì),提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。
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什么是多層片式瓷介電容器((MLCC)

  • 多層瓷介電容器(MLCC)---簡稱片式電容器,是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性 ...
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TDK:詳解MLCC技術(shù)及材料未來發(fā)展

  • 中心議題:?MLCC技術(shù)及材料未來發(fā)展趨勢解決方案:?MLCC封裝趨向小型化及薄型化發(fā)展...
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MLCC與鉭電容器在應(yīng)用中的比較

  • 在1990年,Y5V型MLCC的價格已達到鉭電容的水平,到1995年,X7R型的價格達到1.0uF鉭電容器的水平.這些重大變化...
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面板抗韓 臺系MLCC廠產(chǎn)能供應(yīng)情況

  •   市場傳出,國內(nèi)面板廠抵制三星不滿在歐盟控訴我國面板廠涉嫌操控價格案中,三星扮演污點證人的角色,因此釋出抗用「韓貨」的想法。在被動元件產(chǎn)品中,以臺廠的積層陶瓷電容(MLCC)受惠最深,廠商估計,明年第二季起效益可望顯著。   
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一種平衡式MLCC的解決方案

  • 一種平衡式MLCC的解決方案1個X2Y電容是一種平衡的MLCC解決方案,其內(nèi)部有三條不同的電信號通道,有四個外部連接端口(圖5)。
    G1和G2端口內(nèi)部連接到器件內(nèi)一個共用參考(屏蔽)電極,并且AB板由此參考電極隔離
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利用鉭電容和氧化鈮電容提高汽車系統(tǒng)性能

  • 在更舒適、更安全和更多功能等用戶需求的推動下,汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為一個快速發(fā)展的市場領(lǐng)域。各種各樣的電...
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TDK:詳解MLCC技術(shù)及材料未來發(fā)展趨勢

  •   隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的發(fā)展,IC的集成度越來越高,線路板表面上元器件的使用日趨減少。不過隨著各種電子設(shè)備功能的增加、半導(dǎo)體器件的高速化低功耗(低電壓驅(qū)動)趨勢、電子模塊的小型化及接口數(shù)增加,勢必會引起電子回路的電磁干擾,為了使電子線路能正常穩(wěn)定地工作,就需要增加外圍元件來消除電磁噪聲保證電路的正常工作,這對于被動元件的需求反而有所增加。   MLCC封裝趨向小型化及薄型化發(fā)展   手機、手提電腦、游戲機、液晶電視等家用電器的多功能化、小型化,對電容、電感、電阻、接插件等元件也提出了更高的要求。TDK
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mlcc介紹

 目前廣泛應(yīng)用在便攜產(chǎn)品中,主要可分為兩大類:BME化的C0G產(chǎn)品和LOW ESR選材的X7R(X5R)產(chǎn)品。 C0G類MLCC的容量多在1000pF以下,該類電容器低功耗涉及的主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0~8.0)×10-4,而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0~2.5)×10-4,約是前者的( [ 查看詳細 ]

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