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分析師認(rèn)為應(yīng)用材料將發(fā)動(dòng)MOCVD設(shè)備的兼并
- 應(yīng)用材料公司正在努力開發(fā)LED用的MOCVD設(shè)備。 VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為,據(jù)它的消息應(yīng)用材料可能兼并Aixtron或者Vecco中的一家, 盡管它己經(jīng)自己開發(fā)花了4年時(shí)間。 傳聞?wù)媾c假尚未知,但是有個(gè)問題引起關(guān)注,應(yīng)用材料在美國(guó)Santa Clara,而Aixtron在Herzogenrath及Vecco在美國(guó)長(zhǎng)島, 然而客戶集中在亞洲。為什么不能在亞洲尋找出路, 可能與投資銀行有關(guān)。 為此必須十分小心,因?yàn)閺乃性O(shè)備供應(yīng)商來的訊息與來自可能收購(gòu)者的訊息差別很
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背光用LED產(chǎn)品的材料吃緊現(xiàn)象有可能在2011年緩解
- 目前市場(chǎng)上的液晶電視用LED背光模組有很強(qiáng)的需求,LED晶片廠受惠于這類需求而擴(kuò)產(chǎn),采購(gòu)了大量的MOCVD設(shè)備。 由于擴(kuò)產(chǎn)的幅度大,包括藍(lán)寶石基板、MO源、相關(guān)組件和材料在2010下半年是否會(huì)呈現(xiàn)缺貨,已經(jīng)是市場(chǎng)觀察重點(diǎn),許多零組件和材料已經(jīng)呈現(xiàn)漲價(jià)的趨勢(shì)。 不過,相關(guān)供應(yīng)商也逐步擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng),LED晶片材料吃緊的情況,可望在2011年獲得緩解,LED產(chǎn)品的價(jià)格依據(jù)應(yīng)用類別不同,而會(huì)有持平或不同的價(jià)格變動(dòng)。
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LED產(chǎn)業(yè)熱過頭還是剛開頭
- “現(xiàn)在LED投資確實(shí)又有‘熱過頭’的傾向,LED產(chǎn)業(yè)洗牌是必然的。” 2010年7月,浙江省最大的LED產(chǎn)業(yè)園--杭州灣LED產(chǎn)業(yè)園將投產(chǎn)。位于浙江海鹽的杭州灣LED產(chǎn)業(yè)園總規(guī)劃占地面積1000畝,預(yù)計(jì)總投資規(guī)模超過30億元,正傾力打造中國(guó)第八大半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)基地。近年來,LED產(chǎn)業(yè)在中國(guó)快速走熱。公開資料顯示,僅2009年上半年,全國(guó)各地紛紛上馬LED項(xiàng)目總投資預(yù)算已超過200億元。 LED產(chǎn)業(yè)投資是否過熱?會(huì)不會(huì)像前些年多晶硅投資一樣產(chǎn)能
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MOCVD產(chǎn)能過?;蛟O(shè)備閑置的狀況不久可能出現(xiàn)
- 在“Strategies in Light(光戰(zhàn)略)”會(huì)議上,來自美國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Strategies Unlimited的Robert Steele指出,為了應(yīng)對(duì)高亮度LED市場(chǎng)的巨大需求,在未來兩年內(nèi),每年高亮度LED產(chǎn)能增幅需要達(dá)到50%,才能滿足市場(chǎng)需求。根據(jù)MOCVD設(shè)備產(chǎn)能模式估算,目前已布局或下單的MOCVD設(shè)備足以滿足未來幾年的需求。更高生產(chǎn)效率的MOCVD(42~45片×2英寸)的出現(xiàn),可能會(huì)在不久的未來某些時(shí)候或某些地方出現(xiàn)MOCVD產(chǎn)能過?;蛟O(shè)
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市場(chǎng)傳出三星、應(yīng)用材料也要跨入生產(chǎn)MOCVD設(shè)備
- 市場(chǎng)傳出韓廠三星電子及美國(guó)廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)可能將跨入用于制造LED的MOCVD設(shè)備領(lǐng)域。 據(jù)有關(guān)消息顯示,三星目前正在自行開發(fā)MOCVD設(shè)備,用來供自家廠房使用,不會(huì)進(jìn)行銷售。 應(yīng)用材料方面,據(jù)傳該公司已向美國(guó)能源部取得資金來研發(fā)新設(shè)備,預(yù)料將至2011年底期間內(nèi)推出MOCVD設(shè)備,最后的生產(chǎn)階段則很可能會(huì)在新加坡、臺(tái)灣完成。市場(chǎng)預(yù)估應(yīng)材可能會(huì)在未來2個(gè)月內(nèi),推出一款MOCVD設(shè)備的測(cè)試版本。 LEDinside表示,市場(chǎng)上確實(shí)是有新的MO
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傳統(tǒng)照明與LED照明的戰(zhàn)爭(zhēng)
- 在當(dāng)今節(jié)能環(huán)保大氣候下,傳統(tǒng)光源的缺點(diǎn)盡顯無遺,必將遭到節(jié)能型光源的淘汰。傳統(tǒng)光源白熾燈、鹵鎢燈、金屬鹵化物燈(HID)進(jìn)出口萎縮,而節(jié)能型光源熒光燈及放電燈進(jìn)口保持增長(zhǎng)。尤其是LED照明光源(芯片及相關(guān)設(shè)備、原材料等等)進(jìn)口大幅增長(zhǎng),環(huán)比超過30%,今后每年將以超過35%的速度增長(zhǎng)。 基于目前MOCVD、芯片、原材料的供應(yīng)狀況,以及LED價(jià)格下降速率,據(jù)GLII預(yù)測(cè):到2015年LED照明滲透率將達(dá)到25%左右,2020年的滲透率達(dá)60%左右。 對(duì)于傳統(tǒng)照明企業(yè)來說,切入LED照明并非不
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MOCVD機(jī)臺(tái)數(shù)量大增 LED藍(lán)寶石基板供應(yīng)恐怕在2011年出現(xiàn)供應(yīng)吃緊現(xiàn)象
- 由于南韓、日本、中國(guó)大陸與臺(tái)灣許多LED廠正大幅擴(kuò)充LED產(chǎn)能,預(yù)期對(duì)上游材料需求增加幅度高,屆時(shí)供應(yīng)可能會(huì)吃緊。國(guó)際上已經(jīng)有多家原料供應(yīng)廠商也積極拓展產(chǎn)能。 2011年全球新增加的MOCVD磊晶機(jī)臺(tái)數(shù)量,LEDinside預(yù)估和2010年水準(zhǔn)差不多,以2010年來看預(yù)估是約500臺(tái),2011年這方面的數(shù)字可能只會(huì)多不會(huì)少。 有藍(lán)寶石基板廠認(rèn)為,MOCVD機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)數(shù)量大,2011年對(duì)上游材料的需求將呈現(xiàn)高度成長(zhǎng),對(duì)于藍(lán)寶石基板廠商是利多。 目前在LED藍(lán)寶石長(zhǎng)晶的業(yè)者有鑫晶鉆、越峰,
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設(shè)備廠:今年景氣好 無供過于求疑慮
- LED晶粒缺貨持續(xù)延燒,除原本金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)機(jī)臺(tái)大缺之外,業(yè)界又掀起三缺之說,包括藍(lán)寶石基板、化學(xué)源以及人才通通都缺,同時(shí),在終端市場(chǎng)包括TV與監(jiān)視器的LED背光源滲透率提高,帶動(dòng)需求不減之下,設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,LED產(chǎn)業(yè)即便進(jìn)行大擴(kuò)產(chǎn),2010年仍不至于有供過于求的問題,可望持續(xù)好到2011年上半。 MOCVD大廠Veeco大中華區(qū)總經(jīng)理王克揚(yáng)指出,MOCVD進(jìn)入第2季依然供應(yīng)吃緊,在一線大廠先卡位搶下大部分機(jī)臺(tái)后,二線廠也紛紛搶進(jìn),這波設(shè)備供不應(yīng)求,除由于擴(kuò)產(chǎn)需求大增外,許
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MOCVD接單暢旺 Veeco獲利報(bào)喜
- 受惠于LED廠積極擴(kuò)產(chǎn),有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設(shè)備大廠Veeco首季營(yíng)收達(dá)1.632億美元,年增120%,季成長(zhǎng)12%,本業(yè)每股稀釋盈余0.49美元,遠(yuǎn)優(yōu)于2009年同期的本業(yè)每股虧損0.22美元,截至3月底在手訂單金額已達(dá)5.02億美元。 Veeco近年來積極拓展MOCVD市占率,直追MOCVD老大Aixtron,其中大中華區(qū)頗有斬獲,臺(tái)灣新世紀(jì)光電已在2010年第1季訂購(gòu)數(shù)臺(tái)甫推出的TurboDisc K465i GaN MOCVD機(jī)臺(tái),以便擴(kuò)充高亮度LED產(chǎn)能,另外,大陸L
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看好LED再熱3年 廣鎵年底闊產(chǎn)7成
- 受惠于LED應(yīng)用多元,LED上游磊晶供不應(yīng)求,LED磊晶廠廣鎵光電將積極擴(kuò)產(chǎn),目前MOCVD機(jī)臺(tái)為40臺(tái),計(jì)劃年底時(shí)將再增加28臺(tái),產(chǎn)能將較目前再增加70%,廣鎵董事長(zhǎng)陳進(jìn)財(cái)表示,由于LED晶粒顆粒需求大增,目前LED晶粒供給只有需求的一半,因此不只是2010年缺,可能連2011年都會(huì)維持缺貨。 廣鎵3月營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣2.99億元,年成長(zhǎng)約181.49%,已創(chuàng)下單月歷史新高紀(jì)錄,累計(jì)第1季營(yíng)收為8.02億元,年增率為227.15%。法人預(yù)估,廣鎵4月營(yíng)收將超越3億元,且2010年應(yīng)用于電視背光源的
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晶電證實(shí)全球LED芯片出現(xiàn)部份缺貨現(xiàn)象
- 晶電副總經(jīng)理張世賢日前對(duì)外表示,LED芯片缺貨,且已從高階芯片蔓延到較小尺寸芯片。他并透露,現(xiàn)階段廠商需求面來看,晶電只能滿足五成到六成。 目前連低階的LED芯片都缺,原本供應(yīng)手機(jī)的中高階芯片,約在1800~2000mcd的規(guī)格,許多廠商都往2000~2400mcd發(fā)展,這些產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階后,像中國(guó)市場(chǎng)白牌手機(jī)和日光燈管等應(yīng)用的芯片,也出現(xiàn)缺貨的現(xiàn)象。 也因此,當(dāng)前LED磊晶廠的業(yè)務(wù)壓力升高,要設(shè)法滿足客戶需求。晶電方面已經(jīng)有擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,4月份可增加3~4臺(tái)MOCVD,2010年Q2約增10~
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藍(lán)寶石基板大缺 LED晶粒短缺變本加厲
- LED應(yīng)用市場(chǎng)擴(kuò)增,除了金屬有機(jī)物化學(xué)氣相磊晶(MOCVD)機(jī)臺(tái)供不應(yīng)求,造成晶粒產(chǎn)能不及開出,上游晶粒材料藍(lán)寶石基板也告急缺貨,第2季起價(jià)格調(diào)漲2成,LED業(yè)者表示,預(yù)計(jì)供應(yīng)缺口將持續(xù)至年底,目前正大肆展開供應(yīng)廠商認(rèn)證作業(yè),以防年底缺貨沖擊加深,至于應(yīng)用端影響,估計(jì)對(duì)于TV背光滲透率沖擊不大,但晶粒產(chǎn)能轉(zhuǎn)移,對(duì)于照明應(yīng)用供應(yīng)將縮減。 受惠LED TV等新應(yīng)用滲透率大增,加上背光、照明應(yīng)用以及官方政策扶植等帶動(dòng)LED需求,藍(lán)寶石基板搶手程度水漲船高。LED業(yè)者表示,過去由于臺(tái)灣供應(yīng)藍(lán)寶石基板切片
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鼎元LED專案落戶福州 一期建設(shè)采購(gòu)30臺(tái)MOCVD
- 據(jù)悉,鼎元光電一LED專案將落戶福州機(jī)電園,力爭(zhēng)在6月18日前在福州機(jī)電園舉行動(dòng)工儀式。 鼎元LED專案占地300畝,規(guī)劃廠房5.5萬平方米,總投資約30億元人民幣。項(xiàng)目分兩期建設(shè),其中一期建設(shè)30臺(tái)MOCVD機(jī),投資約10億元,投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約9億元。 另外,該公司將視市場(chǎng)情況在3年內(nèi)擴(kuò)充至100臺(tái)MOCVD機(jī),年產(chǎn)值可達(dá)30億元人民幣。同時(shí),鼎元光電將引進(jìn)一批有實(shí)力的下游封裝和應(yīng)用產(chǎn)品廠商,形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈,預(yù)計(jì)2015年形成年產(chǎn)值300億元人民幣左右的產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模。
- 關(guān)鍵字: 鼎元 LED MOCVD
LED芯片廠積極擴(kuò)張 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長(zhǎng)期
- 據(jù)Semiconductor引述研究機(jī)構(gòu)SEMI報(bào)導(dǎo),統(tǒng)計(jì)全球180座LED/光電晶圓廠(Opto/LEDFab)分布,日本廠商擁有最多的LED/光電晶圓廠,然LED晶圓廠的分布地區(qū)排行,則以臺(tái)灣、日本及大陸包辦前3名。 位于臺(tái)灣、日本及大陸的LED廠數(shù)量目前分別占全球40%、23%及22%.2009年景氣不佳,全球仍有7座新的LED廠啟用,且2010及2011年預(yù)計(jì)分別還有5座及6座預(yù)備啟用,主要位于大陸、臺(tái)灣、日本、印度及俄羅斯。 盡管臺(tái)灣已擁有全球最高的LED晶圓制造能力,然包含晶元
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mocvd介紹
MOCVD
MOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù).它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體 [ 查看詳細(xì) ]
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