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MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)最常用的方法

MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對(duì)地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時(shí)為低電平，導(dǎo)通時(shí)接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個(gè)問題？

今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會(huì)比開通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通時(shí)大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時(shí)，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算

**1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設(shè)計(jì)中，產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值，至少應(yīng)小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設(shè)計(jì)中，實(shí)際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應(yīng)大于該值。所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實(shí)際
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響?！?查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。· 了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標(biāo)準(zhǔn)使用較為普遍，主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器；而SSI標(biāo)準(zhǔn)是隨著服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的，適用于各種檔次的機(jī)架式服務(wù)器。二、產(chǎn)品應(yīng)用及工作原理
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MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？

關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？對(duì)于一個(gè)
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【干貨】拋開教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管

我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。當(dāng)說到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會(huì)告訴你長長的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 MOS管

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理，通過具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對(duì)PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
關(guān)鍵字： 202008 PFC電路 MOS管振蕩 MOSFET 202008

使用MOS管的注意事項(xiàng)

MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
關(guān)鍵字： MOS管互補(bǔ)MOS

萬用表測(cè)試MOS管使用及更換總是很難？看看這個(gè)吧?。ǘ?/a>

　　現(xiàn)在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，出廠的篩選、檢測(cè)都很嚴(yán)格，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡單：　　采用萬用表的R×10K擋;R×10K擋內(nèi)部的電池一般是9V加1.5V達(dá)到10.5V這個(gè)電壓一般判斷PN結(jié)點(diǎn)反相漏電是夠了，萬用表的紅表筆是負(fù)電位(接內(nèi)部電池的負(fù)極)，萬用表的黑表筆是正電位(接內(nèi)部電池的正極)，如上圖所示。　　2)測(cè)試步驟：　　把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說明

關(guān)鍵字： MOS管萬用表

六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析

　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了?！　〉谌木蛯倬W(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了?！　　　∠旅鎸?duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：　　雪崩失效(電壓失效)，也就
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]