- 近年來，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點，獲得了廣泛應用，相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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鋰離子電池管理芯片 模擬電路 MOS管
- 經過多年的發(fā)展，模擬運算放大器技術已經很成熟，性能曰臻完善，品種極多。這使得初學者選用時不知如何是好。為了便于初學者選用，本文對集成模擬運算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法，便于讀者理解，可能與通常的分類方法有所不同。
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模擬運放 高速運放 MOS管
- 通用測試儀器大全之電子負載儀（特性，工作原理，使用方法，應用范圍）-以增強AVRRISC結構的ATmega16控制器為核心，設計并制作了直流電子負載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經過誤差放大器的PI調節(jié)構成閉環(huán)負反饋控制環(huán)路，實現恒流。恒阻和恒壓模式通過軟件實時調節(jié)流過MOS管電路的電流實現。
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mos管 電子負載儀
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的?！ ∠旅媸俏覍OS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路?！ OSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
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MOS管
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
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MOS管 MOSFET
- 逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風扇、照明、錄像機等設備中。
逆變變壓器原理
它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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MOS管 變壓器
- 逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風扇、照明、錄像機等設備中。
逆變變壓器原理
它的工作原理流程是控制電路控制整個系統(tǒng)的運行，逆變電路完成由直流電轉換為交流電的功能，濾波電路用于濾除不需要的信號，逆變器的工作過程就是這
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MOS管 變壓器
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。
MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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MOS管 JEFT
- MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
靜電擊穿有兩種方式;
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;
二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。
現在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3
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MOS管
- 怎么選擇MOS管是新手工程師們經常遇到的問題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個電路工作能順利進行下去。不會因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。下面總結出如何正確選取MOS管的四大法則。
法則之一：用N溝道orP溝道
選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這
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MOS管
- 下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
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MOS管 MOSFET
- MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿) 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?！ ?) Drain->Source穿通擊穿: 這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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MOS管 MOSFET
- 常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀? 當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值 時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，形成反型層。 vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小?！ 〖碞溝道MOS管在vGS
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場效應管 mos管
- MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
靜電放電形成
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MOS管 ESD
- 一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減?！ OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計。現在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A(這個電流已經很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏?！ ∮捎贛OS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了?！ MOS管防止電源反接電路：
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MOS管 NMOS
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [
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