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2010全新英特爾酷睿i7處理器至尊版發(fā)布

  • 　　英特爾公司今天推出了2010全新酷睿? i7處理器至尊版Intel? Core? i7 980x處理器。這是世界上第一款基于32納米的 6核12線程的處理器，是目前為止桌面級處理器中無可爭議的性能王者，其核心代號為Gulftown。伴隨著這款處理器的發(fā)布，一場“至臻完美、極速智能”的全新數(shù)字時(shí)代已經(jīng)悄然來臨。 　　英特爾40年的成長歷程映證了一個(gè)不惑的規(guī)律，只有持續(xù)的創(chuàng)新，才有持續(xù)的增長。作為全球領(lǐng)先的處理器制造商，英特爾將最大的努力傾注在不斷
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污水處理智能化系統(tǒng)的Multi-Agent通信技術(shù)與實(shí)現(xiàn)

傳Sandy Bridge處理器與Core i5處理器將具備插槽兼容性

  • 　　我們都知道，LGA775插槽的壽命是相當(dāng)長的，從P4時(shí)代起一直到如今的酷睿2四核產(chǎn)品。那么目前Core i5處理器所用的LGA1156插槽會不會也有類似的好運(yùn)?據(jù)Fudzilla網(wǎng)站最近的一則報(bào)道，據(jù)稱Intel下一代Sandy Bridge處理器將使用LGA1155插槽，而LGA1156插槽和LGA1155插槽則可相互兼容。 　　   　　不過，F(xiàn)udzilla認(rèn)為Sandy Bridge處理器必須配合下一代6系列芯片組才能使用，這樣即便插槽具備兼容性，但Sandy Bridge
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Intel發(fā)布首顆桌面級六核處理器 采用32nm工藝

  • 　　Intel將在今后半年的時(shí)間里發(fā)布至少六款新處理器，其中大多是最新Core ix家族的新成員： 　　Core i7-980X EE將成為第一顆桌面級六核心處理器，而且是32nm新工藝，兼容現(xiàn)有X58主板。AMD的首批六核心Phenom II X6 1000T系列則 會在五月份推出，45nm工藝，兼容AM3主板。 型號 代號 工藝 核心數(shù)
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IBM推出兩款32納米Core i3芯片服務(wù)器

  • 　　英特爾于當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，在美國拉斯維加斯CES 2010消費(fèi)電子展上發(fā)布了32納米“Arrandale”移動處理器和“Clarkdale”桌面處理器，其中部分命名為Core i3的“Clarkdale”處理器被IBM應(yīng)用到了兩款入門服務(wù)器上。 　　本次IBM新推出的兩款入門服務(wù)器包括System x3200 M3塔式服務(wù)器，支持Core i3、Pentium和Celeron處理器，支持DDR3內(nèi)存，可選支持ECC。x3200 M
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英特爾處理器明年陸續(xù)進(jìn)入32納米制程

  • 　　明年開始英特爾處理器包括Core系列桌面型、移動型，以及Xeon處理器，甚至嵌入式處理器，全都將相繼
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英特爾將于1月7日推出17款新的處理器

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾星期四預(yù)展了新的Core處理器和圖形芯片技術(shù)。這些將成為英特爾主流芯片產(chǎn)品的支柱。 　　正如以前報(bào)道的那樣，英特爾稱，它將在1月7日在拉斯維加斯舉行的消費(fèi)電子展會上展示新的Core處理器，其中包括新的i3芯片。這些處理器是首次采用32納米技術(shù)生產(chǎn)的。這個(gè)幾何學(xué)尺寸越小，芯片的速度越快和約節(jié)能。英特爾目前的處理器是采用45納米技術(shù)生產(chǎn)的。 　　英特爾將一共推出17款新的處理器。英特爾重申了這種Core i系列處理器。i7是頂級的處理器，i5是中檔的處理器，新的i3是低端處理器。
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新款LGA1366處理器Core i7 930明年2月28日上市

  • 　　據(jù)Intel公司一份產(chǎn)品路線圖顯示，除了我們先前報(bào)道的六核Core i7 980X，以及酷睿2四核Q9500兩款處理器之外，還將于明年2月28日推出一款新的四核Nehalem處理器Core i7 930,這款處理器仍為LGA1366設(shè)計(jì)，主頻2.8GHz，三級緩存容量為8MB，內(nèi)置三通道DDR3內(nèi)存控制器。 　　新款Core i7 930的售價(jià)將為284美元，TDP功耗為130W。
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處理器集成DSP可提高圖形和音頻處理能力

  • 　　處理器集成DSP的目的主要是提高圖形和音頻處理能力，從而節(jié)約Core(內(nèi)核)的資源，發(fā)揮處理器在多媒體和游戲應(yīng)用上的潛力。 　　便攜產(chǎn)品的處理器向高端和多核發(fā)展將具有劃時(shí)代的意義，Intel依靠Atom想在便攜式設(shè)備分得一杯羹，ARM希望在高性能、多核處理器的發(fā)展上，向Intel發(fā)起挑戰(zhàn)。是 ARM挺進(jìn)Intel在計(jì)算機(jī)市場的領(lǐng)域，還是Intel下探到ARM在嵌入式強(qiáng)勢的便攜市場，未來無法預(yù)測。但是，ARM和Intel必將在交匯點(diǎn)展開一輪激烈的戰(zhàn)斗是肯定的。中電器材作為ARM產(chǎn)品的銷售方，將結(jié)合市場
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研華和ENEA達(dá)成系統(tǒng)管理中間件合作

  • 　　近日研華參加美國加州舉行的ATCA峰會，并在會上和ENEA(Nordic Exchange/Small Cap/ENEA)共同宣布了將在研華Intel ® Xeon ® 5500 AdvancedTCA刀片服務(wù)器上采用ENEA網(wǎng)元系統(tǒng)管理中間件套件，從而實(shí)現(xiàn)了核心網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求的更高級管理性、可靠性和適用性。 　　“現(xiàn)在通信設(shè)備制造商(TEM)需要快速、無縫集成和低成本的可擴(kuò)展性開放平臺，”研華刀片計(jì)算部門主管Peter Marek說。“研華ATCA
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研華UTCA-6302刀片服務(wù)器榮獲最佳展示獎(jiǎng)

  • 　　研華，其產(chǎn)品被評選為基于Vanu公司的Anywave基站平臺的“最具特色的用戶應(yīng)用”，因而在ATCA峰會上被授予了“最佳展示獎(jiǎng)”。研華UTCA-6302系統(tǒng)的獨(dú)特設(shè)計(jì)，使其可在僅有3U或4U制式機(jī)箱內(nèi)整合多達(dá)12個(gè)全長AMC格式的、基于45nm Intel® Core™ 2 Duo處理器。 　　系統(tǒng)采用了具有創(chuàng)新性的從前到后的冷卻方案、先進(jìn)的冗余電源設(shè)計(jì)，并且配備了能夠提供4個(gè)千兆位以太網(wǎng)端口、數(shù)據(jù)加密和4個(gè)T1/E1回程線路的新型
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研華新推UTCA-6302 26核MicroTCA系統(tǒng)刀片服務(wù)器

  • 　　研華，2009年11月18日- 近日研華推出了2009年最具原創(chuàng)性的MicroTCA系統(tǒng)產(chǎn)品。研華UTCA-6302設(shè)計(jì)獨(dú)特，具備高達(dá)12個(gè)符合全高AMC標(biāo)準(zhǔn)的45nm Intel® Core™ 2 Duo處理器，以3U或4U的外型尺寸實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)的冷卻方案。該系統(tǒng)具備使空氣由前而后流通的創(chuàng)新冷卻結(jié)構(gòu)、高級冗余電源設(shè)計(jì)，并且配備冗余MicroTCA Carrier Hub(MCH)。近期這款產(chǎn)品被評選為基于Vanu公司的Anywave基站平臺的“最具特色的用戶應(yīng)用&rdq
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英特爾明年產(chǎn)品路線圖曝光

  • 　　一個(gè)泄露的英特爾產(chǎn)品路線圖披露了英特爾將推出其新的Core i3、i5和i7等處理器的更詳細(xì)的時(shí)間表。在即將推出的處理器中，有兩款低功率“S”版本的Core i5 750和i7 860 Lynnfield芯片(時(shí)鐘速度分別是2.4GHz和2.53GHz，可升級到3.2GHz和3.46GHz)。新的“S”芯片耗電量只有82瓦，而不是95瓦。這兩種芯片都配置了8MB的二級緩存，將在2010年第一季度上市。 　　如果這個(gè)產(chǎn)品路線圖沒有提供將推出的Clarkd
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基于NCO IP core的Chirp函數(shù)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)

  • 首先分析Chirp函數(shù)在頻域上的一般特性，并且分析Altrea公司提供的數(shù)控振蕩器知識產(chǎn)權(quán)核(NCO IP core)的輸入／輸出特性，通過MegaCore環(huán)境確定其輸入控制字，通過外圍邏輯電路實(shí)時(shí)向NCO IP core調(diào)入控制頻率控制字以達(dá)到改變輸出頻率的目的，并通過在示波器上觀測FPGA的運(yùn)行情況，驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)具有很好的輸出效果。
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三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm

  • 　　三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項(xiàng)技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)計(jì)的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實(shí)際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實(shí)現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機(jī)和移動設(shè)備設(shè)計(jì)者在存儲模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 　　三星稱，這項(xiàng)層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
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