nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

DRAM看漲類股營(yíng)運(yùn)走俏

　　由于韓國(guó)三星半導(dǎo)體將七成存儲(chǔ)器供自家手機(jī)、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動(dòng)，存儲(chǔ)器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng)，DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元，站上二年多來(lái)新高，相關(guān)DRAM族群營(yíng)運(yùn)看俏。　　 ? 　　此外，NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。　　市場(chǎng)得知，三星將把七成行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng)，讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升，站上
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存深入解析

對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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MSP430---FLASH 讀寫

MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128 ...
關(guān)鍵字： MSP430 FLASH 存儲(chǔ)器

DRAM漲價(jià)或提氣

DRAM曾是半導(dǎo)體業(yè)的王牌產(chǎn)品，在上世紀(jì)90年代的半導(dǎo)體市場(chǎng)上曾約占到3～4成的樣子，同時(shí)，它的加工技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導(dǎo)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM，后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長(zhǎng)。
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英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

　　英特爾公司今天宣布，該公司董事會(huì)已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官，以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱，卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會(huì)召開之際開始履職。　　 ? 　　卡扎尼奇自2012年1月以來(lái)一直擔(dān)任英特爾首席運(yùn)營(yíng)官，此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時(shí)，歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。　　卡扎尼奇現(xiàn)年52歲，自在1982年加盟英特爾以來(lái)，就一直擔(dān)任該公司
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

64GB NAND閃存芯片需求保持強(qiáng)勁

　　根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機(jī)和平板電腦強(qiáng)勁需求推動(dòng)，64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長(zhǎng)，高密度芯片價(jià)格高居不下，反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場(chǎng)狀況。　　智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)對(duì)NAND芯片需求旺盛，也對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)上的芯片供應(yīng)帶來(lái)了負(fù)面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無(wú)力獲得穩(wěn)定的供貨。　　供應(yīng)緊張狀況，鼓勵(lì)芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤(rùn)的訂單，比如為智能手機(jī)提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　有消息表示，目
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產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀(jì)交鋒

2013年，隨著智能機(jī)平板市場(chǎng)繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲(chǔ)器件缺貨嚴(yán)重，存儲(chǔ)器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢(shì)態(tài)嗎?2013年智能機(jī)平板電腦超極本平臺(tái)廠商發(fā)力重點(diǎn)在哪里?如何實(shí)現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過(guò)第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇，本土存儲(chǔ)器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)挑戰(zhàn)，推進(jìn)智能機(jī)平板創(chuàng)新。
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器 BIWIN

第四季度NAND營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

意外!NAND閃存去年第四季度營(yíng)業(yè)收入達(dá)到最高紀(jì)錄，扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
關(guān)鍵字： NAND AMOLED

IHS：2012年Q4全球NAND營(yíng)收大幅成長(zhǎng)17%

　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報(bào)告，全球 NAND 快閃記憶體市場(chǎng)在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營(yíng)收成長(zhǎng)──大幅上揚(yáng)17%，達(dá)到了56.34億美元的營(yíng)收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營(yíng)收平均下滑6%的記錄。　　2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達(dá)到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場(chǎng)三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。　　三星在2012年第四季的
關(guān)鍵字：美光 NAND

NAND閃存去年第四季度意外增長(zhǎng)

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來(lái)看，這種環(huán)比增長(zhǎng)具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營(yíng)業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營(yíng)業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營(yíng)業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入為202億美元，
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2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)溫和增長(zhǎng)

　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)6.4%，達(dá)到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長(zhǎng)，智能終端、電視與計(jì)算等關(guān)鍵消費(fèi)電子產(chǎn)品成為推動(dòng)芯片營(yíng)業(yè)收入與需求增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α? 　　智能終端　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入的下降，緣于消費(fèi)者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購(gòu)將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購(gòu)量低迷。令
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延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)器使用壽命的研究

　　引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的 ...
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器使用壽命

2012年Flash首超DRAM DRAM前途將靠移動(dòng)DRAM

緣于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)電子設(shè)備的繼續(xù)紅火走俏，除2010年以外，F(xiàn)lash和DRAM市場(chǎng)規(guī)模日趨接近，再加近2年P(guān)C風(fēng)光不再，致使DRAM需求疲軟，降價(jià)聲急。
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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"

　　全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過(guò)了艱辛的2012年，近期在美國(guó)經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長(zhǎng)，但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。　　考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗，對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來(lái)打擊下，市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國(guó)今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國(guó)內(nèi)業(yè)者的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。無(wú)論如何，在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。　　TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。　　不過(guò)鎂光也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：鎂光 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]