nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關(guān)鍵字：存儲管理 TMS320F28x 實現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
關(guān)鍵字：開發(fā) 應(yīng)用 SOPC Flash NOR 并行

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計,現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
關(guān)鍵字：記錄儀設(shè)計數(shù)據(jù) 高速 Flash 大容量基于

大容量FLASH在單片機臺標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

1　引　言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進(jìn)行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用臺標(biāo) 單片機 FLASH 大容量

全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達(dá)到了34.6%。　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。　　集邦科技指出，三星電子
關(guān)鍵字：海力士 NAND

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

　　外電報導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
關(guān)鍵字： Hynix NAND

一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計中的應(yīng)用

一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計中的應(yīng)用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發(fā)是非常重要而又閑難的一個環(huán)節(jié)。因為不能確定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應(yīng)用開發(fā)都是以此為基礎(chǔ)。在實際開發(fā)中，為了提高開
關(guān)鍵字：設(shè)計應(yīng)用嵌入式 Flash ISP 支持

NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要本文實現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點介紹了 ...
關(guān)鍵字： MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統(tǒng)

蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
關(guān)鍵字：蘋果 NAND

東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>

　　日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財務(wù)風(fēng)暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱恕Υ藮|芝和爾必達(dá)高層都不予置評。　　近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談?wù)鲜乱?，但東芝對于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高，另外，日本政府亦認(rèn)為，DRAM市場雖萎縮，但技術(shù)必須傳承，有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。

關(guān)鍵字：東芝 NAND

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題,引言　　在作為國家863計劃子項目挖掘機智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運行和嵌入式實時多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
關(guān)鍵字：關(guān)鍵問題運行存儲器 DSP Flash C/OS-II

Atmega128單片機的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)

摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基 ...
關(guān)鍵字： RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash

PLC在風(fēng)電控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

一、概述近年來隨著國家對可再生能源扶持政策的進(jìn)一步出臺，可再生能源特別是風(fēng)力發(fā)電呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢，國...
關(guān)鍵字： FLASH PLC 風(fēng)電控制

力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力晶仍會保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
關(guān)鍵字：力晶 NAND

回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。　　展望NAND Flash后市，集邦科技認(rèn)為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認(rèn)證程序尚需2-3個月等問題，因此，預(yù)
關(guān)鍵字： NAND SSD

共1459條 56/98 |‹ « 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]