nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

英特爾與美光科技關(guān)系緊張

　　隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級新加坡的這個(gè)工廠提供必要的資金。　
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傳英特爾、美光科技的合資企業(yè)將解體

　　12月31日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級新加坡的這個(gè)工廠提供必要的資金。　
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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會(huì)受影響。　　
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動(dòng)NAND Flash需求

　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺(tái)大增至5000萬臺(tái)的規(guī)模，可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。　　
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NAND芯片漲價(jià)15% 或引iPad漲價(jià)

　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時(shí)電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價(jià)格或?qū)⑸蠞q15%。　　
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測

　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報(bào)告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強(qiáng)勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時(shí)設(shè)備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實(shí)上，這個(gè)溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。　　
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)

　　美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。　　
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英飛凌推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)

　　英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識(shí)別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù)，英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機(jī)結(jié)合的安全產(chǎn)品供應(yīng)商。
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臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

　　臺(tái)灣長久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。　　
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東芝日本廠跳電受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

　　華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。　　接下來幾個(gè)月，全球的快閃存儲(chǔ)器市場的供
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串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案

串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案,串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介紹一種通過51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運(yùn)行
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基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
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基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
關(guān)鍵字：心電監(jiān)控應(yīng)用設(shè)計(jì) FPGA 混合 Flash 構(gòu)架模數(shù) 基于

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]