nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)中所儲(chǔ)存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計(jì)劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng)，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語權(quán)，這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。　　三星上個(gè)月
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爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項(xiàng)技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨(dú)家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計(jì)劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶營銷。　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。　　高速閃存接口的優(yōu)勢(shì)不言而喻，未來將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲(chǔ)密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)電子類應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

　　編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊，增長點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
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TMS320C6201 處理器與FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： TMS320C6201/6701 FLASH 接口設(shè)計(jì) 引導(dǎo)

力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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controller_4G08的方案設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)Flash的控制

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)Flash控制器controller_4G08，它建立了自己的指令集，可以方便地實(shí)現(xiàn)FPGA對(duì)Flash的控制和讀寫操作。FPGA主狀態(tài)機(jī)可以在系統(tǒng)時(shí)鐘頻率下對(duì)controller_4G08發(fā)送指令，然后等待controller_4G08返回的中斷
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華邦：NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

　　華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營運(yùn)都相當(dāng)樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動(dòng)的影響相對(duì)較小。　　華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場(chǎng)缺口約20%，華邦的優(yōu)勢(shì)在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對(duì)于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預(yù)計(jì)這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]