nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
Mobile RAM防線恐失守
- 行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港,然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進(jìn)下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 存儲器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND
終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND Flash
flash接口電路的實(shí)現(xiàn)
- flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言
我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系 - 關(guān)鍵字: 實(shí)現(xiàn) 電路 接口 flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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