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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測試結(jié)果表明,該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤,對于1 bit錯(cuò)誤
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支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng)

  • 支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言  在實(shí)際開發(fā)中,為了提高開發(fā)效率,大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板,并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過程中.除了CPU以外,另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件?! ? 系統(tǒng)介紹  采
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蘋果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲

  •   最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會上,三星與蘋果之間的知識產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會是一個(gè)有趣的話題。目前,三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級,使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?! ?/li>
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競爭加劇

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?!?/li>
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一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 摘要:從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā),對SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下,快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件,描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法,具有
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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
    嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對嵌入式應(yīng)用
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Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價(jià)格走勢

  •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會公布。
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Mobile RAM防線恐失守

  •   行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港,然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進(jìn)下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。   存儲器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
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Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  •   Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片,Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。   
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  •   南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  •   存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動,2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場,面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示,認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合,才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場波動沖擊?!?/li>
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需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  •   由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁,導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過15%,現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁。  
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

  • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

      我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系
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nand flash介紹

 Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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