nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。　　按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升

　　市調(diào)機構(gòu)InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉(zhuǎn)。　　由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎(chǔ)上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

　　Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。　　Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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09年固態(tài)硬盤市場份額不會大提升

　　雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設(shè)備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 　　較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價格走勢,SSD產(chǎn)品的市場接受度將會下降. 　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND 內(nèi)存芯片

Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。　　固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 34納米 MLC SLC

利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元

　　雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評估產(chǎn)品成本。據(jù)悉，第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。　　通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
關(guān)鍵字：蘋果 NAND GPS 處理芯片

恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。　　相較于
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NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
關(guān)鍵字：三星 NAND 30納米 43納米

三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計明年將推出兼容設(shè)備。
關(guān)鍵字：三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體

09年SSD硬盤市占率不升反降

　　據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查，2009年，傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規(guī)格閃存的價格不斷上揚，而由此產(chǎn)生的利潤空間自然就減小了。　　DRAM Exchange聲稱上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢，結(jié)果導(dǎo)致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
關(guān)鍵字： SSD NAND 上網(wǎng)本

三星電子與東芝就芯片業(yè)務(wù)達成交叉授權(quán)交易

　　6月22日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)簽署交叉授權(quán)交易。　　東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
關(guān)鍵字：三星 NAND 芯片制造

閃存價格上漲　SSD技術(shù)普及受威脅

　　今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈，令供應(yīng)商非常高興，使其在2008年經(jīng)受慘重損失之后又獲得了希望。　　為了盡快恢復(fù)盈利，這些供應(yīng)商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應(yīng)對市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司，此后，NAND閃存價格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計上漲了28%。　　雖然這對于閃存供應(yīng)商來說是好事，但卻可能對固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負面影響。SSD的90%由閃存部件構(gòu)成。　　SSD上網(wǎng)本失色　　在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
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內(nèi)容與模式體現(xiàn)消費電子差異性

　　SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應(yīng)用產(chǎn)品市場之一。由于有新的標準和產(chǎn)品出現(xiàn)，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應(yīng)用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實這部分業(yè)務(wù)在2008年是下滑的，而新業(yè)務(wù)帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價格的下降，我們的銷售額與2007年持平。　　總的來說，慧榮擁有3大產(chǎn)品線：移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產(chǎn)品提供管理閃存的控制芯片，應(yīng)用范圍包括閃存卡、U盤、
關(guān)鍵字： SD NAND 移動存儲多媒體單芯片移動通信

東芝整頓虧損的芯片業(yè)務(wù) 將關(guān)閉部分生產(chǎn)線

　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，東芝表示將關(guān)閉部份芯片生產(chǎn)部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業(yè)務(wù)。　　報導(dǎo)指出，東芝計劃關(guān)掉Kitakyushu廠兩條生產(chǎn)線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產(chǎn)能則將腰斬。　　據(jù)報載，公司將裁減生產(chǎn)線的臨時雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業(yè)務(wù)單位。　　東芝預(yù)估，廢棄生產(chǎn)設(shè)備及采取相關(guān)措施所耗費的重整費用將達300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產(chǎn)量。　　公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
關(guān)鍵字：東芝芯片晶圓 NAND

博通聯(lián)手Adobe打造高清上網(wǎng)本

　　全球有線和無線通信半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者Broadcom(博通)公司和Adobe系統(tǒng)公司今天宣布，雙方將展開工程合作，在基于英特爾原子處理器的平臺上、以硬件加速方式播放基于Adobe Flash技術(shù)的高清視頻內(nèi)容。雙方的合作為在基于英特爾原子處理器的上網(wǎng)本電腦和上網(wǎng)機上實現(xiàn)豐富、無縫的娛樂體驗鋪平了道路，從而使用戶能以新的方式訪問和使用全球流行的在線服務(wù)提供商提供的Web內(nèi)容。　　通過雙方的合作，Adobe Flash平臺的關(guān)鍵組件之一Adobe Flash播放器軟件將得到Broadcom Cryst
關(guān)鍵字： Broadcom Flash 硬件加速

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]