nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

全球半導(dǎo)體廠商逆勢擴(kuò)張市場競爭白熱化

　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價格下跌讓全球半導(dǎo)體市場陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價格已跌至谷底。　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其
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12寸晶圓首超8寸晶圓主導(dǎo)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
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英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品規(guī)劃

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器（SSD）的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機(jī)客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于存儲計算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機(jī)中的硬盤驅(qū)動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器（HDD）和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計算機(jī)開/關(guān)啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。　　據(jù)國外媒體報道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達(dá)到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。　　Hynix在清州還建有另外兩個芯片制造廠，目前正在運(yùn)作當(dāng)中。　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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臺灣工研院建固態(tài)硬盤認(rèn)證平臺

　　固態(tài)硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列，臺系陣營為了急起直追，由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報機(jī)構(gòu)工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認(rèn)證平臺，希望藉此機(jī)會把SSD硬件測試平臺建立起來，為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機(jī)。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
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英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機(jī)客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于存儲計算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機(jī)中的硬盤驅(qū)動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計算機(jī)開/關(guān)啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
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NAND閃存市場價格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預(yù)計在八月份晚期，當(dāng)前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機(jī)、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
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NAND閃存的下一個熱點：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關(guān)鍵字：三星閃存 NAND DRAM

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴(kuò)大，東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴(kuò)大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

　　據(jù)國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項目。　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
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微控制器發(fā)展、過去和將來

　　對于選擇微控制器進(jìn)行設(shè)計的系統(tǒng)設(shè)計師來說，可獲得的大量的不同型號的MCU會讓選型工作變得復(fù)雜。SiliconLabs已經(jīng)發(fā)布了工作電壓低至0.9V的一款8位MCU，德州儀器有許多款針對16位MSP430的低功耗應(yīng)用，英飛凌和飛思卡爾有針對汽車應(yīng)用的多款MCU方案，而Atmel的AVR單片機(jī)和Microchip的PIC系列單片機(jī)一直在推陳出新，新的32位ARM核Cortex-M3處理器已經(jīng)發(fā)布，古老的8位8051核還是在不同微控制器中占領(lǐng)主流地位，而市場老大瑞薩可以針對多種應(yīng)用領(lǐng)域提供方案。　
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計

　　前言　　DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了T
關(guān)鍵字： DSP 存儲接口 FLASH

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]