nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因,除年底旺季需求增加外,最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故,導致市場產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份,由于廠商仍存在過度上漲,可能造成需求冷卻之疑慮。因此,即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電,生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復運轉(zhuǎn),但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?,F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量,9月份實際供給
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NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應求現(xiàn)象
- 根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告,七月上旬NAND Flash合約價出爐;SLC市場供給吃緊、合約價大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應求。 在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品,另外加上iPhone題材所帶來的預期心理,4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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Nand Flash合約價大漲 模塊廠樂透
- 集邦科技最新報告指出,伴隨需求持穩(wěn)放大,加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡,NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報價,SLC大漲15%至30%之多%。集邦認為,依照當前掌握數(shù)據(jù)觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響,五月份下旬價格才開始緩步
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美光對NAND Flash發(fā)布警告
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示,目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進,但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展,尤其令人感到驚訝的是,微影設(shè)備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年,幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展,還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商,自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠,加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅
- 根據(jù)國外媒體報導, NAND閃存市場上的競爭業(yè)者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產(chǎn)量,并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭,也在準備因應市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍,市場領(lǐng)導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)風水輪流轉(zhuǎn),變化相當快速,原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價格大跌之苦,然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現(xiàn)了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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