nand flash 文章 進入nand flash技術社區(qū)
透視 FPGA 的安全性
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- 今天的設計人員已經(jīng)在許多不同的領域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設計工具的范疇,逐漸用于生產(chǎn)應用中,尤其是消費電子和汽車電子等領域。據(jù)Gartner Dataquest市場研究公司指出,F(xiàn)PGA器件在汽車應用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。 這個增長在很大程度上是來自于FPGA本身的特點。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導航裝置和DVD播放機之類設備的產(chǎn)品壽命相對較短,因此縮短其開發(fā)周期變得非常重要。可編程邏輯便可為設計人員提供所需的靈活性
- 關鍵字: FPGA 汽車 Flash
HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導體繼I/O型Flash MCU之后,推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進行MCU程序內存的燒錄,且燒錄次數(shù)可達十萬次,此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新,因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間,并可提供更好的售后服務。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調校參數(shù),不需受限于燒錄次數(shù);在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級,提供更高的附加
- 關鍵字: Flash MCU
NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃
- 日前,全球領先的閃存供應商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議,表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5),以應對未來市場對NAND閃存的需求,該工廠預計將于2010年投產(chǎn)。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示:“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn),因為現(xiàn)在的供求關系依然比較樂觀?!? 但是閃存供應商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
- 關鍵字: 閃存 NAND
ZigBee技術 無線傳感器網(wǎng)絡節(jié)點 MCl3192 LPC2138
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- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應用,完成了硬件接口設計和軟件設計,并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點,被廣泛地應用于手
- 關鍵字: NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線測試
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- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵,因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛,本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS,并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進行在線測試。在給出測試結果的同時,著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進行分析,并提出改進方案和適用環(huán)境。 關鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關鍵字: NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊:英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出,由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產(chǎn)品銷售增長減速,對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司,共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內存芯片,這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來,英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布,它預計其第一季度毛利率將在54%左右,低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于:NAND閃存的價格低于預期水平。在第
- 關鍵字: 英特爾 NAND
Flash 單片機自編程技術的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結構? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空間中,一個
- 關鍵字: Flash 單片機 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關鍵字: NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)
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- l 引言 在仿真環(huán)境下調試DSP板程序之后,還有一項重要的工作要做:怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式:不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應用中,多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低,因而受到廣大工程技術人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應用板最終要脫離仿真器獨立運行,而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體,掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
- 關鍵字: TMS320C64x Flash
分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價格走平之后,NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱,全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購?,F(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應用。這些因素都會對NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 Mok稱,蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動,導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過了需求的70%和價格的下降。 這位分析師稱,雖然自從2
- 關鍵字: NAND 閃存 芯片
內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料,整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。 TRI觀點: 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
- 關鍵字: 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱,2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年,我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤,半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關鍵字: 半導體 NAND 閃存 IC自動測試設備 ATE
供大于求 明年NAND閃存市場難以復蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據(jù)國外媒體報道,內存模塊制造商消息人士稱,NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面,這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響,而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%,平均為3.48美元,而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%,至6.52美元,而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量,價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。 NAND閃存合同價格的下降,主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
- 關鍵字: NAND 閃存市場 存儲器
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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