nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

NAND閃存價(jià)格反彈帶動(dòng)八月芯片銷售增長(zhǎng)

根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長(zhǎng)超過(guò)分析師預(yù)測(cè)，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示，增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%，與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來(lái)全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
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NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲

Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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51內(nèi)核8位單片機(jī)MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時(shí)鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號(hào)8位單片機(jī)MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)所面臨的問(wèn)題，并推薦相應(yīng)的解決方案。關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期　　在全球8位單片機(jī)領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機(jī)兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
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基于NOR FLASH存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來(lái)討論嵌入式手持移動(dòng)終端中文件系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。
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AVR單片機(jī)的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)

　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機(jī)功能強(qiáng)大，在無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢(shì)。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機(jī)，實(shí)現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對(duì)算法進(jìn)行匯編語(yǔ)言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。對(duì)兩種算法的優(yōu)熱點(diǎn)進(jìn)行比較和分析。關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash 引言　　在無(wú)線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無(wú)線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中，常常需要大容量、高密度的存儲(chǔ)器，而在各種存儲(chǔ)器中，NAND FLASH以價(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢(shì)成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存公司市場(chǎng)份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%，出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋果iPhone和iPod等消
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一種新型單片機(jī)MSC1210及其應(yīng)用

　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機(jī)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，其高性能ADC、片內(nèi)存儲(chǔ)器以及Flash編程應(yīng)用等功能。關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進(jìn)行高精度的測(cè)量，同時(shí)還必須進(jìn)行實(shí)時(shí)快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機(jī)解決了上述問(wèn)題。它集成了一個(gè)增強(qiáng)型8051內(nèi)核、高達(dá)33 MHz
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì)發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

致力于簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)驗(yàn)證和測(cè)試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì)近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)審批。這一針對(duì)目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲(chǔ)供應(yīng)商增加了 MMC存儲(chǔ)接口支持，從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲(chǔ)豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì)于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺(tái)上測(cè)試多種存
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三星調(diào)高閃存價(jià)格帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升

　在三星向外界透露位于韓國(guó)的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對(duì)NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升。　　業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。　　在三星向外界透露
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]