nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實面臨兩個大的問題，其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲器，并利用新型相變移位
關(guān)鍵字：閃存恒億 RAM NOR NAND

恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場

　　2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲器
關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3

透視 FPGA 的安全性

　　今天的設(shè)計人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中，尤其是消費電子和汽車電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。　　這個增長在很大程度上是來自于FPGA本身的特點。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機之類設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開發(fā)周期變得非常重要。可編程邏輯便可為設(shè)計人員提供所需的靈活性
關(guān)鍵字： FPGA 汽車 Flash

HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

　　03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬次，此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
關(guān)鍵字： Flash MCU

ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗軟件測試 YAFFS

Flash 單片機自編程技術(shù)的探討

???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空間中，一個
關(guān)鍵字： Flash 單片機自編程

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
關(guān)鍵字： NAND NOR flash

TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)

　　l 引言　　在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應(yīng)用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線不斷擴大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器

基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

本文采用USB接口的ICP方法，燒寫速度快，無需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機USB口連接即可。
關(guān)鍵字： Flash USB 908 JB8

2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。　　大舉擴產(chǎn)NAND閃存　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)

　　汽車上可自動關(guān)閉的電動車窗或車門設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。　　由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)?；谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實現(xiàn)的詳細(xì)描述。　　現(xiàn)代
關(guān)鍵字： AVR Flash 微控制器汽車電子控制裝置

NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域借以擴大市占率

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應(yīng)用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器

共599條 35/40 |‹ « 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 »

nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]