npn(nmos) 文章進(jìn)入npn(nmos)技術(shù)社區(qū)

用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級(jí)SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS

NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
關(guān)鍵字： MOSFET NMOS PMOS

工業(yè)傳感器選型：PNP和NPN兩種類(lèi)型應(yīng)該如何選？

大多數(shù)工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指?jìng)鞲衅鲀?nèi)使用的部件類(lèi)型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來(lái)在檢測(cè)到物體時(shí)切換傳感器的輸出。問(wèn)：PNP和NPN傳感器的3線接線大多數(shù)工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指?jìng)鞲衅鲀?nèi)使用的部件類(lèi)型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來(lái)在檢測(cè)到物體時(shí)切換傳感器的輸出。有兩種特定類(lèi)型的三線傳感器可用可供使用，即PNP型和NPN型，它們之間的差異來(lái)自于內(nèi)部電路設(shè)計(jì)及其所采用的晶體管類(lèi)型。在選型時(shí)，需要考量
關(guān)鍵字： Digi-Key 傳感器 PNP NPN

2個(gè)NPN三極管組成的恒流電路，如何工作？

根據(jù)T2三極管Vbe鉗位，知道了T1發(fā)射極電壓，得出Ie的電流，Ic等于Ie，Ic有了，集電極電壓有了，可以算出Vce是合理的，即假設(shè)成立，T1工作在發(fā)放大區(qū)。兩個(gè)NPN三極管組成的恒流電路是如何工作的？今天簡(jiǎn)單分析下，并且仿真看一下帶載能力如何。2個(gè)NPN組成恒流T1和T2為兩個(gè)NPN三極管。R1=1K，用來(lái)模擬負(fù)載，AM1為電流表，R4=100R，為恒流設(shè)置電阻。首先要判斷兩個(gè)三極管工作在何種狀態(tài)？假設(shè)T1工作在放大區(qū)，那么就滿足等式Ic=βIb，Ie=Ic+Ib，一般β是幾十到幾百，忽略Ib，Ie約
關(guān)鍵字： NPN 三極管

晶體管分類(lèi)有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來(lái)自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類(lèi)，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

英特爾：通過(guò)R16標(biāo)準(zhǔn)兌現(xiàn)5G承諾

7月初，3GPP正式發(fā)布了5G R16 標(biāo)準(zhǔn)，通常也被理解為5G的第二階段，這是5G發(fā)展歷程中最令人激動(dòng)的里程碑之一。R16標(biāo)準(zhǔn)使5G技術(shù)中一些最具創(chuàng)新性和變革性的性能得以實(shí)現(xiàn)。在實(shí)施這些新性能的漫長(zhǎng)旅程中，我們才剛剛開(kāi)始，它們也將極大地釋放新一代無(wú)線技術(shù)的潛力。再怎么強(qiáng)調(diào)R16標(biāo)準(zhǔn)的重要性都不過(guò)分。R15標(biāo)準(zhǔn)主要聚焦于增強(qiáng)移動(dòng)寬帶，而R16標(biāo)準(zhǔn)則帶來(lái)了一系列新的功能，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了簡(jiǎn)單的性能提升，還支持新的商業(yè)模式、應(yīng)用以及垂直市場(chǎng)。特別值得一提的是，從制造到醫(yī)療行業(yè)的企業(yè)和工業(yè)組織將得以使用各種功能，將自
關(guān)鍵字： URLLC NPN TSN

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：共發(fā)射極放大器

目標(biāo)本活動(dòng)的目的是研究BJT的共發(fā)射極配置。?背景知識(shí)共發(fā)射極放大器是三種基本單級(jí)放大器拓?fù)渲?。BJT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入，集電極端為輸出，而發(fā)射極為輸入和輸出共用（可連接至參考地端或電源軌），所謂“共射”即由此而來(lái)。?材料■? ?ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊■? ?無(wú)焊面包板??? 五個(gè)電阻??? 一個(gè)50 kΩ可變電阻、電位計(jì)??? 一個(gè)小信
關(guān)鍵字： VBE IC NPN

學(xué)子專(zhuān)區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：將BJT連接為二極管

簡(jiǎn)單的NPN二極管連接目標(biāo)：本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管(BJT)連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。材料：?? ?ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊?? ?無(wú)焊面包板?? ?一個(gè)1 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值）?? ?一個(gè)小信號(hào)NPN晶體管(2N3904)說(shuō)明：NPN晶體管的發(fā)射極-基極結(jié)的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實(shí)驗(yàn)室硬件和以下連接來(lái)測(cè)量。使用面包板，將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器
關(guān)鍵字： BJT NPN

通俗易懂的三極管工作原理

本文就三極管的工作原理進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。1、晶體三極管簡(jiǎn)介。晶體三極管是p型和n型半導(dǎo)體的有機(jī)結(jié)合，兩個(gè)pn結(jié)之間的相互影響，使pn結(jié)的功能發(fā)生了質(zhì)
關(guān)鍵字：三極管工作原理 NPN PNP

用MOS管防止電源反接的原理？

一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用
關(guān)鍵字： MOS管 NMOS 電源反接

34063+NPN(NMOS)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)流的車(chē)充方案電路原理圖

34063+NPN(NMOS)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)流的車(chē)充方案電路原理圖優(yōu)點(diǎn)：在[1]方案的基礎(chǔ)上擴(kuò)流來(lái)滿足不斷增長(zhǎng)的充電電流能力的需求；缺點(diǎn)：同樣存在[1]方案中類(lèi)似的不足...
關(guān)鍵字： NPN(NMOS) 車(chē)充方案電路原理

采用NPN和PNP管擴(kuò)展輸入電壓電路圖

采用NPN和PNP管擴(kuò)展輸入電壓電路圖圖采用NPN和PNP管擴(kuò)展輸入電壓電路圖圖所示電路中，V1和V2用典型的SCR或晶閘管的方式連接。按圖所示電路可以很方便地構(gòu)造一個(gè)負(fù)輸出電壓的穩(wěn)壓電源。當(dāng)然這時(shí)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)選...
關(guān)鍵字： NPN PNP管擴(kuò)展輸入

采用NPN、PNP管擴(kuò)展輸出的負(fù)極性輸出穩(wěn)壓電路

采用NPN、PNP管擴(kuò)展輸出的負(fù)極性輸出穩(wěn)壓電路圖采用NPN、PNP管擴(kuò)展輸出的負(fù)極性輸出穩(wěn)壓電路在圖所示電路中，在最大負(fù)載條件下，R3的取值應(yīng)使通過(guò)V1給V2提供足夠的基極驅(qū)動(dòng)電流。通過(guò)R3的最大電流值為12mA，為最差工作...
關(guān)鍵字： NPN PNP管擴(kuò)展負(fù)極性輸出穩(wěn)壓電路