- 光電傳感器有NPN型輸出型(電流流入)和PNP輸出型(電流流出)兩種，當電流流出的傳感器(PNP輸出型)在接通時， 電流是從電源經傳感器的輸出端(output)流到負載(load)上，進入負載, 然后流到接地端。
而電流流入(NPN輸出型)的傳感器接通時，電流是從電源經負載流到傳感器的輸出端(output)，然后流到接地端(GND)，最后進入系統(tǒng)的地(GND)。
PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、GND，OUT信號輸出線;
1、NPN類NPN是指當有信號觸發(fā)時，
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pnp npn
- 可控硅(晶閘管)原理圖
可控硅T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成可控硅的主電路，可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電路。
從可控硅的內部分析工作過程：
可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2
當可控硅承受正向陽極電壓時，為使可控硅導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集
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可控硅 NPN
- 一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減?！ OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計。現(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A(這個電流已經很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏?！ ∮捎贛OS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了?！ MOS管防止電源反接電路：
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MOS管 NMOS
- 大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內部空穴和電子的運動，還是那句話只談應用不談原理，希望通過下面的“圖解”讓初學者對三極管有一個形象的認識。 三極管是一個以b(基極)電流Ib 來驅動流過CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個可控制的閥門?！ ?nbsp;
圖1 左邊細管子里藍色的小水流沖動杠桿使大水管的閥門開大，就可允許較大紅色的水流通過這
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三極管 NMOS
- 對于NPN或者PNP這個東西在電路里面經常遇到，本文提供一種簡單的判斷方式?！ ∈紫日J識一下PNP或者NPN，其主要包括三極管和場效應管 此處不談放大啥的，只說通短的判斷?！ ?nbsp;
先說三極管的通斷： 三極管的通斷總結一點就是：集電極正向偏置，發(fā)射極反向偏置?！ ≌f的直白一點，簡而言之： 對于P型：c>b>e 對于N型：e>b>c 介紹一種電路的應用：分離元器件實現(xiàn)RS232電平和TTL的電平轉換，如圖：
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NPN PNP
- PNP與NPN型傳感器其實就是利用三極管的飽和和截止，輸出兩種狀態(tài)，屬于開關型傳感器。但輸出信號是截然相反的，即高電平和低電平。PNP輸出是高電平1，NPN輸出的是低電平0?！ NP與NPN型傳感器(開關型)分為六類： 1、NPN-NO(常開型)nomal open 2、NPN-NC(常閉型)nomal close 3、NPN-NC+NO(常開、常閉共有型) 4、PNP-NO(常開型) 5、PNP-NC(常閉型) 6、PNP-NC+NO(常開、常閉共有型) PNP與NPN型傳感器一般有
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NPN PNP
- 現(xiàn)在踏足到消費類電子，為了保持超高的性價比，在日常設計中經常用分離元器件。比如聲音功放，需要一個電壓和電流放大，兩個三極管幾個電阻電容完成。但是后端還需要DSP的處理了。別的不說，現(xiàn)在就分析下三極管設計的前前后后。
我們常見的交流信號放大電路如圖所示：
首先要計算出靜態(tài)工作點：
對于交流信號，我們進行如下分析：假如輸入電壓引變化 ，則射極電流變化 ，由于 ，那么集電極上變化的電壓為
由于C2為“隔直通交”的作用，在基極引入的直流電壓被過濾掉，
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NPN 三極管
- 導讀：據(jù)我所知，大多數(shù)人在應用PNP與NPN的時候，都以為這兩個是相同的類型。其實，PNP與NPN的區(qū)別是有很多的，但是區(qū)別到底有哪些呢?接下來就隨小編一起學習一下吧~~~
1.npn和pnp的區(qū)別--簡介
晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導體中間夾著1塊N型半導體所組成的三極管，稱為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導體中間夾著1塊p型半導體所組成的三極管，稱為npn型三極管。我國生產的鍺三極管多為P
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npn pnp npn和pnp的區(qū)別
- 1. MOS管工作原理--MOS管簡介
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。
2. MOS管工作原理--Mos管的
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MOS管 工作原理 NMOS MOS管工作原理
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓1MHz升壓型直流-直流轉換器PAM2401，旨在滿足備用電池、無線電話及全球定位系統(tǒng)接收器等便攜式產品對效率愈見嚴格的要求。這款同步轉換器可維持高達95%的工作效率，提供真正的輸出斷接功能以防漏電，并確保產品在低至1V的輸入電壓下安全啟動。
PAM2401為0.9V到4.75V較低的工作電壓輸入范圍提供1.0A到3.0A的可編程電流限制。為了盡量延長電池壽命，該器件在驅動輕載時自動設定為高效率的脈沖跳躍模式。器件在關閉狀態(tài)下
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Diodes PAM2401 NMOS
- 不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡單。圖3給出了可穿戴電子設備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設計復雜性進一步提高。
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圖3：手表的高層次方框圖
一個符合邏輯的辦法是將整個系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡化電源域的設計，從而實現(xiàn)低功耗功能。
顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅動和顯示屏本身。大多數(shù)設計都針對顯示屏采用基于定時器的超時斷電模式。一般說來，在固定時間T1后，背光會降
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CPU PMOS NMOS
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側驅動器，該款驅動器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標準達林頓晶體管陣列。此款 TPL7407L 可將此前驅動大負載電流所需晶體管陣列減少一半，依舊可驅動同級別的負載電流，這為從前需要大量晶體管陣列或電機驅動器的高電壓系統(tǒng)提供了一個新的選擇。這款最新驅動器不僅可將功耗降低 40%，而且還可高效驅動高電壓應用中的 LED 矩陣、繼電器或步進電機，適用于大型家用電器、樓宇自動化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多詳情或訂購樣片
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德州儀器 NMOS 達林頓晶體管
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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STw4141 轉換器 NMOS
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